slurry trenchとは 意味・読み方・使い方

A Damascene interconnection is formed by removing excess metallic film and liner film on the outside of an interconnection trench by CMP method using slurry containing a polishing agent produced by cementing a plurality of active particles (silica) 1 through an inactive body (PMMA) 12.例文帳に追加

複数の活性粒子（シリカ）１１を不活性体（ＰＭＭＡ）１２で固めた構成の研磨剤を含むスラリーを用いたＣＭＰ法によって、配線溝の外部の余剰な金属膜およびライナー膜を除去し、ダマシン配線を形成する。 - 特許庁

To provide a slurry for chemical mechanical polishing capable of extremely reducing a step between an insulating film formed by silicon oxide or the like and a stopper film formed by silicon nitride or the like in a shallow-trench isolation process, and to provide a method of polishing and manufacturing a substrate.例文帳に追加

シャロー・トレンチ分離工程において、酸化ケイ素等から形成される絶縁膜と、窒化ケイ素等から形成されるストッパ膜との段差を極めて小さくすることができる化学的機械的研磨用スラリー、並びに基板の研磨及び製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method for constructing a structure of concrete or the like in the ground, bubble and water are mixed with excavated soil from the excavated ground for keeping the stability of the wall of a trench excavated, in case of excavation and construction of the structure, and a slurry composition making the mixture as a stabilizer is provided.例文帳に追加

地中にコンクリート製等の構築物を構築する工法において、掘削、構築物築造時に掘削した溝壁の安定を保つために、気泡および水を掘削地盤の掘削土と混合し、この混合物を安定液としたことを特徴とする安定液組成物を提供する。 - 特許庁

A chemical mechanical polishing step of a trench element separating film 29 is performed by a slurry having a high polishing selection ratio to an oxide film 23 rather than to a nitride film 25, a self-alignment floating gate is formed by a slurry having a high polishing selection ratio to a polycrystal silicon rather than to the oxide film, so that the flash memory cell is manufactured.例文帳に追加

窒化膜２５より酸化膜２３に対して高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜２９の化学的な機械的な研磨（Ｃｈｅｍｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程をおこない、酸化膜より多結晶シリコンに対して高い研磨選択比を有するスラリーで自己整列フローティングゲートを形成してフラッシュメモリ素子を製造することを特徴とする。 - 特許庁

A slurry composition for chemical mechanical polishing for the polycrystalline silicon and the semiconductor element utilizing it are formed, by a method wherein a trench element separation film is ground with the slurry having the grinding selection ratio with respect to the polycrystalline silicon, which is higher compared with the element separation oxide film of an etching prevention film, to form the self aligned floating gate of the flash memory element.例文帳に追加

本発明は、多結晶シリコン用化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing）のためのスラリー組成物及びこれを利用した半導体素子の形成方法に関し、より詳しくはエッチング防止膜の素子分離酸化膜に比べて多結晶シリコンに対し高い研磨選択比を有するスラリーでトレンチ素子分離膜を研磨し、フラッシュメモリ素子の自己整合浮遊ゲート（Self Align Floating Gate）を形成する半導体素子の形成方法に関する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing slurry composition which is particularly useful for a chemical mechanical polishing (CMP) process of a STI (shallow-trench isolation) process forming a semiconductor multilayer structure, minimizes the occurrence of fine scratches, and has a high polishing selection rate of an oxide film to a nitride film.例文帳に追加

半導体多層構造を形成するためのＳＴＩ(Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ)工程の化学的機械的研磨(Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ)工程に特に有用であり、微細スクラッチの発生を最小化し、酸化膜と窒化膜の研磨選択比が高い化学的機械的研磨スラリー組成物を提供する。 - 特許庁