single crystal surfacesとは 意味・読み方・使い方

Porous silicon layers 3, 6 are formed to both surfaces of a single crystal silicon substrate 5 by anode formation method and thereby a compression stress of these porous silicon layers 3, 6 is applied to both surfaces of a single-crystal silicon substrate 5.例文帳に追加

陽極化成法により単結晶シリコン基板５の両面に多孔質シリコン層３，６を形成し、これらの多孔質シリコン層３，６の圧縮応力が単結晶シリコン基板５の両面に加わるようにする。 - 特許庁

By etching the principal surfaces 41 and 42 of the silicon single crystal substrate 4, inclined planes 7 and 8 are formed.例文帳に追加

シリコン単結晶基板４の主面４１、４２をエッチングすることによって傾斜面７，８が形成される。 - 特許庁

The micropipette includes a substrate 101 formed of single-crystal silicon and a hollow structure 103 constituted of silicon-oxide wall surfaces.例文帳に追加

単結晶シリコンからなる基板１０１と、酸化シリコンの壁面で構成された中空構造体１０３とを具備する。 - 特許庁

This method of diffusing antimony, which makes antimony diffuse through a vapor phase into silicon single-crystal wafers, is constituted in such a way that after rinsing the surfaces of the silicon single-crystal wafers with hydrofluoric acid for removing an oxide film, the silicon single-crystal wafers are inserted into a thermal diffusion furnace to conduct the diffusion process of antimony.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハにアンチモンを気相拡散するアンチモン拡散方法において、シリコン単結晶ウェーハの表面をフッ酸で洗浄して酸化膜を除去した後、熱拡散炉にシリコン単結晶ウェーハを投入し、アンチモンの拡散処理を行う。 - 特許庁

The solar cell includes: a single-crystal silicon substrate having first and second surfaces; a back electrode, installed on the second surface of the single-crystal silicon substrate while the back electrode is electrically connected to the single-crystal silicon substrate; and a carbon nanotube structure installed on the first surface of the single-crystal silicon substrate.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、第一表面及び第二表面を有する単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板と電気的に接続するように、前記単結晶シリコン基板の第二表面に設置された背面電極と、前記単結晶シリコン基板の第一表面に設置されたカーボンナノチューブ構造体と、を含む。 - 特許庁

The gap forming surfaces 10 of the magnetic core half body blocks of the magnetic head and the sub-boundary surfaces 11 of the single crystal ferrite of the magnetic core half body blocks are intersected nearly orthogonally with each other.例文帳に追加

磁気ヘッドの磁気コア半体ブロックのギャップ形成面１０と、磁気コア半体ブロックの単結晶フェライトのサブバウンダリー面１１をほぼ直交させる。 - 特許庁

Principal surfaces 41 and 42 of a silicon single crystal substrate 4 are formed to have a predetermined angle θ with respect to a (111) crystalline plane.例文帳に追加

シリコン単結晶基板４の主面４１、４２は、（１１１）結晶面に対して所定の角度θを持つように形成されている。 - 特許庁

The difference in stress between the both surfaces of a single crystal sapphire substrate is optionally determined by the conditions of the heat treatment after lapping the both surfaces so as to manufacture the substrate with a desired profile and warpage of the substrate.例文帳に追加

単結晶サファイア基板の両面ラッピング工程後の熱処理条件により、面間の応力差を任意に設定し、任意の基板形状およびそり量の基板を作製する。 - 特許庁