single crystal silicon thin filmとは 意味・読み方・使い方

The substrate 4 including the quasi-single crystal semiconductor thin film (quasi-single crystal silicon thin film 20) is separated from the single crystal semiconductor substrate (single crystal silicon substrate 2).例文帳に追加

擬単結晶半導体薄膜（擬単結晶シリコン薄膜２０）を含む基板４と単結晶半導体基板（単結晶シリコン基板２）とを分離する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SINGLE-CRYSTAL SILICON THIN FILM AND METHOD FOR FORMING THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

単結晶シリコン薄膜の形成方法及び薄膜トランジスタの形成方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a silicon thin-film transfer wafer in which a single crystal silicon thin-film can be mirror finished while suppressing film thickness variation of the single crystal silicon thin-film.例文帳に追加

単結晶シリコン薄膜の膜厚バラツキを抑えつつ、単結晶シリコン薄膜を鏡面化することができるシリコン薄膜転写ウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon single crystal thin film F1 is bonded to a support substrate 15.例文帳に追加

シリコン単結晶薄膜Ｆ１を支持基板５に接着する。 - 特許庁

MANUFACTURE OF P-TYPE CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

ｐ型立方晶炭化珪素単結晶薄膜の製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SINGLE CRYSTAL SILICON THIN FILM ON GLASS SUBSTRATE例文帳に追加

ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成する方法 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL WAFER AND THIN FILM EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、および薄膜エピタキシャルウェハ - 特許庁

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT WITH SEED CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL WAFER, AND THIN FILM EPITAXIAL WAFER例文帳に追加

種結晶付き炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ - 特許庁