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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 専門用語対訳辞書 > single crystal Cuの意味・解説 

single crystal Cuとは 意味・読み方・使い方

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Weblio専門用語対訳辞書での「single crystal Cu」の意味

single crystal Cu

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「single crystal Cu」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 17



例文

The method of growing single crystal and the device for glowing single crystal is characterized in that in the case of growing single crystal by Czochralski method, there is provided a cooling cylinder 11 which is made of Cu or a metal having lager thermal conductivity than the Cu, in the vicinity of crystal growing interface, surrounding the growing single crystal, and cooling the crystal growing interface forcedly by a coolant flowing through the cooling cylinder.例文帳に追加

チョクラルスキー法により単結晶を育成する方法において、少なくとも結晶成長界面近傍に、引上げ中の単結晶を取り囲むように、銅または銅より熱伝導度の大きい金属により形成された冷却筒11を配置し、該冷却筒に冷却媒体を流通することによって、結晶成長界面近傍を強制的に冷却しながら単結晶を育成することを特徴とする単結晶育成方法ならびに単結晶育成装置。 - 特許庁

To provide a method for producing a Cu-Al-M-based (M is an element such as Ni, Zn or Mn) alloy single crystal at a low cost.例文帳に追加

Cu−Al−M系(Mは、Ni、Zn、Mnなどの元素)の合金単結晶を、低コストで作製する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal by which a high quality single crystal can be stably and efficiently manufactured by expanding the margin of the pulling speed F enabling the single crystal to be pulled in a desired defective region, particularly an N-region where no Cu-deposition defect is detected in manufacturing of the single crystal by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法による単結晶の製造において、所望の欠陥領域、特にCuデポジション欠陥が検出されないN領域で単結晶の引上げを行うことのできる引上げ速度Fのマージンを拡大して、高品質の単結晶を安定して効率的に製造できる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a metal substrate or a substrate provided with a metal film, a copper (Cu) plating film on the metal substrate or the metal film, a barrier film on the Cu plating film, a single-crystal silicon film on the barrier film, and an electrode layer on the single-crystal silicon film.例文帳に追加

金属基板又は金属膜が形成された基板を有し、金属基板上又は金属膜上の銅(Cu)メッキ膜を有し、Cuメッキ膜上のバリア膜と、バリア膜上の単結晶シリコン膜と、単結晶シリコン膜上の電極層と、を有する半導体装置を用いる。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a crystal defect of a silicon single-crystal wafer, evaluating a minute DSOD (Direct Surface Oxide Defect) or the like accurately and easily, without incurring wasteful cost, which is once evaluated only by a Cu deposition method.例文帳に追加

従来Cuデポジション法でしか評価できなかった微小なDSOD等を簡便でかつ無駄なコストをかけることもなく、更に精度良く評価可能なシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法を提供する。 - 特許庁

The twin crystal of Cu usually forms a twin crystal interface with which one of (111) orientations match wherein the migration rate is low at such matched twin crystal interface and hence the two crystals forming a twin crystal can be regarded substantially as a single large crystal grain.例文帳に追加

銅の双晶においては、通常{111}面の1つが整合した双晶境界を形成し、このように整合した双晶境界ではエレクトロマイグレーション速度は小さく、双晶を形成する2つの結晶粒は、実質的に1つの大きな結晶粒とみなすことができる。 - 特許庁

例文

This is a bonded structure comprising the alumina part composed of single crystal alumina or polycrystal alumina (the first part) 1 and the metal part containing at least Cu and active metals, for example, Ag-Cu-Ti complex (the second part) 3.例文帳に追加

単結晶アルミナや多結晶アルミナからなるアルミナ部材(第1の部材)1と、Ag−Cu−Ti複合体のようなCuと活性金属を少なくとも含む金属部材(第2の部材)3との接合体である。 - 特許庁

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「single crystal Cu」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 17



例文

The pad base layer 22 is made of single crystal aluminum and contains at least a metal segregated among Cu, Ta, W and Ti.例文帳に追加

そして、上記のパッド下地層22は、単結晶アルミニウムで形成されると共に、Cu,Ta,W,及びTiのうち少なくとも1種類の金属が偏析している。 - 特許庁

The method of manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal are characterized in that in the silicon single crystal water grown by the Czochralski method, in N region out side of OSF ring generated in ring state at the time of heat oxidizing process for all surfaces of the wafer, no defective region is existing which is to be detected by Cu deposition.例文帳に追加

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSFの外側のN領域であって、Cuデポジションにより検出される欠陥領域が存在しないものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ及びシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

The metal plating layers coming in contact with the surface of the single crystal Si substrate is selected from one group consisting of Ag, Co, Cu, Ni, Pd, Fe and Pt.例文帳に追加

この単結晶Si基板の表面に接する金属メッキ層は、好ましくはメッキ法により形成されるAg、Co、Cu、Ni、Pd、Fe及びPtからなる一群から選ばれる。 - 特許庁

The Cu-Zn-based alloy having a temperature range a where it becomes a β-phase single phase at a high temperature and a crystal structure comprising at least two phases containing α-phase at normal temperature, which are formed from β-phase by phase transformation, is subjected to a single hot extrusion at the temperature range of the β-phase single phase.例文帳に追加

高温でβ相単相となる温度域を有し、β相からの相変態により常温でα相を含む2相以上の結晶組織を有するCu−Zn系合金について、β相単相の温度域で1回の熱間押出を行う。 - 特許庁

In this surface acoustic element 12, at least one kind of metal among Cu, Ta, W and Ti is segregated in a thin film electrode 18 provided on a piezoelectric substrate 28 and made of single crystal aluminum.例文帳に追加

本発明に係る表面弾性波素子12は、圧電性基板28上に設けられた、単結晶アルミニウムで構成された薄膜電極18に、Cu、Ta、W及びTiのうち少なくとも1種類の金属が偏析していることを特徴とする。 - 特許庁

In particular, the Cu-Al-Mn-Ni alloy has a recrystallized structure composed of an austenite(β) single phase in which crystal orientation is uniformized by thermomechanical treatment, or a) two phases in which the α phase is precipitated into the austenite (β) phase.例文帳に追加

特に、Cu−Al−Mn−Ni合金は、加工熱処理により結晶方位が揃ったオーステナイト(β)単相、または、オーステナイト(β)相中にα相が析出した(β+α)2相からなる再結晶組織であることが好ましい。 - 特許庁

The plated substrate for hard disk media consists of a Si single crystal coated with a multilayered film constituted by successively forming 2 to 200nm thick amorphous layers containing at least one or more metals selected from the group consisting of Ni, Cu and Ag together with Si and 5 to 1,000nm thick polycrystalline layers.例文帳に追加

Si単結晶にSiと共にNiとCuとAgとからなる一群から選ばれる1種以上の金属を含有する厚さ2〜200nmの非晶質層と厚さ5〜1000nmの多結晶層を順次形成してなる多層膜付きハードディスク媒体用メッキ基板を提供する。 - 特許庁

例文

The base wafer 22 of the SOI wafer is composed of a single silicon crystal grown by the Czockralski method and the whole surface of the wafer 22 is on the outside of an OSF region, does not contain the defective region detected by the Cu deposition method, and contains an I region in which the dislocation cluster caused by interstitial silicon exists.例文帳に追加

ベースウエーハ22が、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶であり、該ウエーハ全面がOSF領域の外側であって、Cuデポジション法により検出される欠陥領域を含まず、且つ格子間シリコンに起因した転位クラスタが存在するI領域を含むものからなることを特徴とするSOIウエーハ26。 - 特許庁

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「single crystal Cu」の意味に関連した用語

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