single atomsとは 意味・読み方・使い方

This InP single crystal substrate is specified to have 1×1017 atoms/cm3 to 1×1018 atoms/cm3 oxygen atom concentration, <100> direction of the crystal plane and within ±0.03° off-angle degree.例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶基板中の酸素原子濃度を、１×１０^17原子／ｃｍ^3〜１×１０^18原子／ｃｍ^3の範囲内、面方位を＜１００＞でオフアングルが±０．０３°未満とする。 - 特許庁

In the formulae, R^1 to R^5 each represents an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms with substitution of a fluorine atom, or the like; A represents a single bond or the like; and R^6 and R^7 each represents a hydrocarbon group having 1 to 25 carbon atoms, or the like.例文帳に追加

（Ｒ^１〜Ｒ^５はフッ素原子置換の炭素数１〜２０のアルキル基など、Ａは単結合など、Ｒ^６及びＲ^７は炭素数１〜２５の炭化水素基などである） - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal for growing a silicon single crystal having oxygen concentration as low as not more than 8×10^17 atoms/cm^3.例文帳に追加

８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有するシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal, for growing a silicon single crystal having oxygen concentration as low as not more than 8×10^17 atoms/cm^3.例文帳に追加

８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有する単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法を提供する。 - 特許庁

A compound film (hereinafter referred to as "gallium oxide compound film") containing Ga atoms, O atoms, and atoms or molecules that easily sublimate, is heated to sublimate the atoms or molecules that easily sublimate from inside the gallium oxide compound film, thereby growing a single crystal of gallium oxide with a heat energy that is lower than a binding energy of gallium oxide.例文帳に追加

Ｇａ原子とＯ原子と昇華しやすい原子または分子を含む化合物膜（以下酸化ガリウム化合物膜と呼ぶ）を加熱し、酸化ガリウム化合物膜中から昇華しやすい原子または分子を昇華させることで、酸化ガリウムの結合エネルギーよりも低い熱エネルギーにより酸化ガリウムの単結晶を成長させる。 - 特許庁

It is desirable to form the p-type layer 11 on the surface including zinc atoms of the n-type ZnO bulk single crystal substrate 10.例文帳に追加

ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。 - 特許庁

The digital full-color electrophotographic apparatus is constituted by using: a light source having a emission wavelength at 380 to 450 nm as an exposure means; and an image carrying body having a photoconductive layer made of a non-single crystal material essentially comprising silicon atoms and containing hydrogen atoms and/or halogen atoms.例文帳に追加

デジタルフルカラー電子写真装置において、該露光手段として380〜450nmに発光波長を有する光源を用い、シリコン原子を母体とする水素原子及び／またはハロゲン原子を含有する非単結晶材料からなる光導電層の像担持体を用いる。 - 特許庁

In this epitaxial silicon wafer, an epitaxial film is made on the sub wafer constituted of silicon single crystals, where boron concentration is 4×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3 and the concentration of tin is 1×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3.例文帳に追加

ボロンの濃度が4×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３で、錫の濃度が1×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３であるシリコン単結晶によるサブウェーハ上に、エピタキシャル膜が形成されているエピタキシャルシリコンウェーハ。 - 特許庁