silicon devicesとは 意味・読み方・使い方

1. Devices that manufacture carbon fibers or silicon carbide fibers from polymer fibers発音を聞く 例文帳に追加

（一）　重合体繊維から炭素繊維又は炭化けい素繊維を製造する装置 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The wafer-level package includes a silicon wafer formed with a plurality of MEMS devices, and a glass lid part that seals each of the plurality of MEMS devices on the silicon wafer.例文帳に追加

ウェハレベルパッケージは、複数のＭＥＭＳ素子が形成されたシリコンウェハと、シリコンウェハ上の複数のＭＥＭＳ素子のそれぞれを封止するガラス蓋部とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing semiconductor devices with a desirable flatness having no buildup from the silicon substrate surface.例文帳に追加

シリコン基板表面からほぼ盛り上がらない平坦度を確保できるようにする。 - 特許庁

Lastly, the silicon substrate 101 and the metal layer 108 are diced together into separate devices.例文帳に追加

最後に、シリコン基板１０１を金属層１０８と共にダイシングし個々の素子に分離する。 - 特許庁

The power converter (58) comprises a plurality of silicon carbide (SiC) switching devices (72 to 82).例文帳に追加

パワー変換器（５８）は複数の炭化ケイ素（Ｓｉｃ）切替えデバイス（７２〜８２）を備える。 - 特許庁

Edge termination for silicon carbide devices has a plurality of concentric floating guard rings in a silicon carbide layer that are neighboring to and spaced apart from a silicon carbide-based semiconductor junction.例文帳に追加

炭化ケイ素ベースの半導体接合に近接し、この半導体接合から間隔をおいて配置された、炭化ケイ素層中の複数の同心円のフローティングガードリングを有する。 - 特許庁

Methods of forming high voltage silicon carbide power devices utilize high purity silicon carbide drift layers that are derived from high purity silicon carbide wafer material, instead of prohibitively costly epitaxially grown silicon carbide layers.例文帳に追加

高電圧炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法は、法外に高いコストのエピタキシャル成長された炭化ケイ素層の代わりに、高純度炭化ケイ素ウエハ材料から得られる高純度炭化ケイ素ドリフト層を利用している。 - 特許庁

In a method for manufacturing semiconductor integrated circuit, a silicon nitride film 6 is formed so as to cover semiconductor devices 10 and 20 provided on a substrate 2.例文帳に追加

基板2に設けられた半導体デバイス10、20を覆うようにシリコン窒化膜60を形成する。 - 特許庁