schottky contactsとは 意味・読み方・使い方

A portion of a schottky electrode 4 which directly contacts with SiC is comprised of an oxide layer 4a.例文帳に追加

ショットキー電極４のうちＳｉＣと直接接触する部分を酸化物層４ａにて構成する。 - 特許庁

The anode electrode 9 is subjected to Schottky-contacts with the n-layers 3, and is connected electrically with the p-layers 5.例文帳に追加

アノード電極９は、ｎ層３にショットキー接触し、かつ、ｐ層５に電気的に接続されている。 - 特許庁

The Schottky structure to be formed on the gallium arsenide semiconductor is formed of the gallium arsenide semiconductor substrate, a titanium metal layer to form distributed Schottky contacts on the gallium arsenide semiconductor substrate, a diffused barrier layer to prevent diffusion of metal layer through distribution on the titanium metal layer, and cuprous metal layer distributed on the diffused barrier layer to form the Schottky structure.例文帳に追加

ヒ化ガリウム半導体基板と、該ヒ化ガリウム半導体基板上に分布してショットキー・コンタクトを形成するチタン金属層と、該チタン金属層上に分布して金属層の拡散を防ぐ拡散バリア層と、該拡散バリア層上に分布してショットキー構造を形成する第１銅金属層とによりヒ化ガリウム半導体上に形成されるショットキー構造を構成する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device that has an ohmic electrode with a contact of an interconnection improved, by suppressing deposition of carbon without causing Schottky contacts to be generated, and to provide a manufacturing method for the device.例文帳に追加

ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming nickel silicide which can reduce the number of processes for forming nickel silicide capable of being used for various purposes in the semiconductor and advanced packaging technology such as formation of gate electrodes, ohmic contacts, interconnection lines, Schottky barrier diode contacts, photovoltaics, solar cells and optoelectronic components.例文帳に追加

半導体及び先端実装技術、例えば、ゲート電極、オーミック接触、相互接続ライン、ショットキー障壁ダイオード接触、光起電力、太陽電池及び光電子部品形成などにおける様々な目的のために使用されうるケイ化ニッケルの形成工程数を削減する形成方法を提供する。 - 特許庁

Ni Schottky contacts are formed on four kinds of n-GaN wafers whose electron mobilities are different, and their I-V characteristic is measured at room temperature.例文帳に追加

電子移動度の異なる４種類のｎ−ＧａＮウエハにＮｉショットキー接触を形成し、室温でＩ−Ｖ測定行った結果によれば、電子移動度１００ｃｍ^２／Ｖｓ以下の試料Ａ，ＢのＩ−Ｖ特性は漏れ電流が大きい。 - 特許庁

On an electron supply layer 4 between a source electrode 5 and a drain electrode 6, a floating electrode 8 that Schottky-contacts with the electron supply layer 4 is disposed, and a gate electrode 7 is disposed on the floating electrode 8 via an insulating film.例文帳に追加

ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層４とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極８上に絶縁膜を介してゲート電極７を配置する。 - 特許庁