recessed gateとは 意味・読み方・使い方

SELF-ALIGNED METHOD FOR MAKING RECESSED GATE MOS TRANSISTOR DEVICE例文帳に追加

自己整合方式でリセスゲートＭＯＳトランジスタ素子を製作する方法 - 特許庁

A recessed part 5 is provided on a face other than a sealing face 3 coming into close contact with the other member of two members, and a gate part 6 is provided in the recessed part 5 to leave the gate trace 7 after removing the gate part 6 in the recessed part 5.例文帳に追加

前記二部材のうちの他方の部材に密接するシール面３以外の面に凹部５を設け、凹部５にゲート部６を設けてゲート部６を除去したあとのゲート痕７を凹部５内に残すようにした。 - 特許庁

The circumference of the gate part disposed on a bottom surface of a container body is surrounded by an annular recessed part, and a connection surface of the recessed part continuous to the gate part surface is inclined to the gate part surface.例文帳に追加

容器本体の底面に配設したゲート部の周囲を環状の凹部で囲み、ゲート部面に連続する凹部の接続面をゲート部面に対して傾斜させたことを特徴とする。 - 特許庁

In the recessed part, a dummy side spacer 24 and a second dummy gate electrode 26 are formed.例文帳に追加

凹部にダミーサイドスペーサー２４と第２ダミーゲート電極２６とを形成する。 - 特許庁

This gate mark treatment device has a pressing part which modifies the gate mark so that the gate mark remaining in the recessed part does not protrude outwardly from the recessed part by pressing the pressing part to the recessed part formed on the surface of the injection moldings.例文帳に追加

射出成形品の表面に設けられているの凹状部に押し当てられることで、前記凹状部の中にあるゲート跡が前記凹状部より外へ突出しないように、前記ゲート跡を変形させる押圧部を備える - 特許庁

To provide a method for manufacturing a memory device whose a recessed gate and planar gate electrodes can be formed simultaneously.例文帳に追加

リセスゲート及びプレーナーゲート電極を同時に形成することができるメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element having an improved recessed transistor, in which the recessed transistor includes a recessed gate increased in the cannel length, and the recessed gate further includes a spherical recess for increasing the length of the lower portion of the recess.例文帳に追加

リセストランジスタがチャンネル長が増加したリセスゲートを含み、リセスゲートはリセス下部に長さを増加させるため、球形リセスをさらに含む改良されたリセストランジスタを備えた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A part of the silicon nitride film 8 is embedded in the recessed part of the gate electrode 4.例文帳に追加

このシリコン窒化膜８の一部は、ゲート電極４の窪み部分に埋め込まれている。 - 特許庁