rare gas crystalとは 意味・読み方・使い方

A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming an impurity region 18 in which a rare gas element (also called rare gas) is added by using a mask 17 for a semiconductor film having a crystal structure, gettering to segregate a metal element contained in the semiconductor film to the impurity region 18 by heat treating, and then forming a source region or a drain region of the impurity region 18.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１７を用いて希ガス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１８を形成し、半導体膜に含まれる金属元素を加熱処理により前記不純物領域１８に偏析させるゲッタリングを行った後、前記不純物領域１８をソース領域またはドレイン領域とする。 - 特許庁

This method comprises: a bismuth-substituted rare earth iron garnet includes a crystal growth step of growing a crystal on a single crystal substrate by a liquid phase epitaxial growth method in an oxygen concentration of 0 to 16% (excluding 0); and a heat treatment step of heat treating the grown magneto-optical garnet thick film single crystal in a N_2 or Ar gas atmosphere containing H_2.例文帳に追加

ビスマス置換希土類鉄系ガーネットからなる磁気光学ガーネット厚膜単結晶の製造方法であって、単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によって酸素濃度０〜１６％（０は含まず）で結晶育成させる結晶育成工程と、育成された磁気光学ガーネット厚膜単結晶を、Ｈ_２を含有する、Ｎ_２もしくはＡｒガス雰囲気において熱処理する熱処理工程とを備えている。 - 特許庁

To provide an external electrode type rare gas fluorescent lamp in which tinting in a light-emitting tube is suppressed to occur even if lighted for a long time, in which reduction of brightness maintenance factor is suppressed, and which is suitably applicable to a backlight or the like of a crystal display device.例文帳に追加

長時間点灯しても発光管に着色が生じることが抑制され、輝度維持率の低下も抑制される、液晶表示装置のバックライトなどに好適に適用可能な外部電極型希ガス蛍光ランプを提供すること。 - 特許庁

This technique is characterized in that a rare gas element-doped impurity region is formed in a semiconductor film having a crystal structure and a gettering for making a metallic element being comprised in the semiconductor film segregate in the impurity region is performed by a heating treatment or a strong light irradiation.例文帳に追加

本発明は結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理または強光照射により前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行うことを特徴としている。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device in which the gate insulation film is formed on a silicon single crystal substrate for the gate insulation film, an oxide layer is formed by an organic metal chemical vapor deposition method using a gaseous mixture having an oxidizing gas and an organic metal gas composed of the cyclopentadienyl complex of elements composed of one or more kinds of Ln (Ln is rare earth element).例文帳に追加

本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の１種類以上からなる元素のシクロペンタジエニル錯体からなる有機金属ガスと酸化性ガスとを有する混合ガスを用いた有機金属化学気相成長法によって酸化物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A silicon single crystal is heat treated in a rare gas atmosphere or a non-oxidizing atmosphere where the nitrogen concentration is 5×10^14-6×10^15 atoms/cm^3, the carbon concentration is 1×10^15-9×10^15 atoms/cm^3, and the impurity concentration is 5 ppma or lower.例文帳に追加

シリコン単結晶は、窒素濃度が５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３超え６×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、不純物濃度が５ｐｐｍａ以下の希ガス雰囲気もしくは非酸化性雰囲気中において熱処理する。 - 特許庁

The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106.例文帳に追加

本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。 - 特許庁