rare gas atomsとは 意味・読み方・使い方

Further, the CVD or PVD of the FSG film is continued so that rare gas atoms can be taken into the film and a rare gas atom containing layer 3 is formed.例文帳に追加

さらに、希ガス原子が膜中に取り込まれるようにＦＳＧ膜のＣＶＤあるいはＰＶＤを続けて、希ガス原子含有層３を形成する。 - 特許庁

Owing to this, quantity of energy with which electrons and rare gas atoms collide in discharge becomes adjustable and emission quantity from the rare gas tube 1 can be analog controlled.例文帳に追加

これにより、放電時に電子と希ガス原子と衝突するエネルギ−量を調整可能となり、希ガス管１による発光量をアナログ的に制御することができる。 - 特許庁

The silicon substrate, where carbon is removed is heat-treated in a rare gas atmosphere, thus making silicon atoms move on the silicon substrate surface.例文帳に追加

炭素を除去したシリコン基板を、希ガス雰囲気中において熱処理し、シリコン基板表面のシリコン原子を移動させる。 - 特許庁

Concentration of nitrogen in a semiconductor film which is to become a gettering sink is set to be 1×10^18 atoms/cm^3 or lower, its oxygen concentration is set to 8×10^19 atoms/cm^3, and its rare gas element concentration is set to 1×10^20 atoms/cm^3.例文帳に追加

ゲッタリングシンクとなる半導体膜の窒素濃度を１×１０^18atoms/cm^3以下、且つ酸素濃度を８×１０^19atoms/cm^3以下とし、更に希ガス元素の濃度が１×１０^20atoms/cm^3以上であることを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, collision occurs between atoms and molecules in the rare gas and the high energy particles, and the rare gas 15 becomes uniform low temperature plasma P in the space and is emitted from the nozzle of the dielectric tube in torch shape.例文帳に追加

その後、希ガス１５中の原子や分子と高エネルギー粒子と衝突が起こり、希ガス１５が空間に均一な低温プラズマＰとなった状態で誘電体管の吹出口からトーチ状に放出される。 - 特許庁

Plasma of a high electron density is generated by a method such as diluting with a rare gas or raising the frequency of a power supply, and a high-quality dielectric film is formed by generating oxygen atoms or nitrogen atoms in a high density.例文帳に追加

希ガス希釈または電源周波数を上げる等の方法により高電子密度のプラズマを生じさせ、高密度の酸素原子または窒素原子を生じさせることにより高品質の誘電体膜を形成する。 - 特許庁

A PDP has, as a protection membrane 8, a structure in which at least one kind of rare gas atoms selected from He, Ne, Ar, Kr, Xe, and Rn is dispersed in the range of 10 ppm to 1,000 ppm against MgO that becomes a base material.例文帳に追加

本実施の形態におけるPDPは保護膜８として、母材となるMgOに対し、He, Ne, Ar, Kr, Xe, Rnから選択された少なくとも1種類の希ガス原子を10ppm〜1000ppmの範囲で分散させた構造とする。 - 特許庁