potential barrierとは 意味・読み方・使い方

(e) The barrier potential V_e of electrons is in the range of ε_g (bulk)+ε_e1≤V_e≤5.0 eV.例文帳に追加

（ｅ）電子の障壁ポテンシャルＶ_eは、ε_g(bulk)＋ε_e1≦Ｖ_e≦５．０ｅＶの範囲。 - 特許庁

An overflow barrier region 16 consists of a first charge barrier part 40 and a second charge barrier part 41 of which the potential with respect to signal charges is higher than that of the first charge barrier part 40.例文帳に追加

オーバーフローバリア領域１６は、第１電荷障壁部４０と、第１電荷障壁部４０より信号電荷に対するポテンシャルが高い第２電荷障壁部４１とからなる。 - 特許庁

When ending the transfer of the charges from the photodiode to the memory part, a transfer gate TRX is turned off, and when the height of the TRX barrier becomes higher than a PD depletion potential, the potential of a power supply VDA is set to VDA(L), and the potential of the photodiode is set to a potential between the potential of the TRX barrier and the PD depletion potential.例文帳に追加

フォトダイオードからメモリ部への電荷の転送を終了するとき、転送ゲートＴＲＸをオフし、ＴＲＸバリアの高さがＰＤ空乏電位より高くなった後、電源ＶＤＡの電位をＶＤＡ（Ｌ）に設定し、フォトダイオードの電位を、ＴＲＸバリアの電位とＰＤ空乏電位との間の電位に設定する。 - 特許庁

A height of the potential barrier formed in the barrier region 6 relative to the final transfer stage 4 is lower than a height of a potential barrier formed in the transfer gate region 7 relative to the final transfer stage 4.例文帳に追加

このバリア領域６の形成するポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さは、転送ゲート領域７によって形成されるポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さよりも低い。 - 特許庁

Ions are guided over a pseudo-potential barrier in a radial direction, which partitions a guide region into two regions by a gradient of DC potential.例文帳に追加

ＤＣ電位の勾配によって２つのガイド領域を仕切る径方向の疑似ポテンシャル障壁を超えて、イオンが誘導される。 - 特許庁

Thus, in a reverse directed bias, the potential barrier can be made high in the n- type epitaxial layer 2, and in a forward directed bias, the potential barrier can be lowered in the n- type layer 3.例文帳に追加

これにより、逆方向バイアスにおいてはｎ^- 型エピ層２にて電位障壁の高くでき、順方向バイアスにおいてはｎ^- 型層３にて電位障壁を低くすることができる。 - 特許庁

It is supposed that interposing of the Pt layer 10 between the fixed magnetic layer 4 and the insulating barrier layer 5 will cause the barrier height (potential height) and the barrier width (potential width) of the insulating barrier layer 5 to change, and the absolute value of the VCR can be reduced by this.例文帳に追加

前記Ｐｔ層１０を前記固定磁性層４と前記絶縁障壁層５との間に介在させると、前記絶縁障壁層５の障壁高さ（ポテンシャル高さ）や障壁幅（ポテンシャル幅）に変化が生じると考えられ、これにより、ＶＣＲの絶対値を小さくできる。 - 特許庁

The spin transistor uses a single potential barrier structure to increase the current change rate.例文帳に追加

スピントランジスタは、電流変動率を増大するために単一のポテンシャル障壁構造を使用する。 - 特許庁