poor insertingとは 意味・読み方・使い方

To reduce generation of contact failure in inserting a printed board with respect to poor-quality connector.例文帳に追加

品質の悪いコネクタに対してプリント基板を挿入した際にも、接触不良の発生を低減させる。 - 特許庁

To provide a method for inserting wedge paper in which the poor insertion of the wedge paper into a slot of a stator core can be prevented and deterioration in the durability of a wedge guide can be prevented.例文帳に追加

ステータコアのスロットへのウェッジ紙の挿入不良を防止することができるとともに、ウェッジガイドの耐久性の低下を防止することができるウェッジ紙の挿入方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a joint into which a resin pipe is inserted while easily and surely allowing visual check of the insertion, and which functions to easily cancel a poor mounted condition, and to provide a method of inserting and fixing the pipe thereinto.例文帳に追加

樹脂製パイプを挿入し、挿入確認が目視で容易に確実に行え、装着状態が良くない場合も容易に解除機能を備えている継手および継手へのパイプの挿入固定方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of poor electric connection and breakage on a circuit board even when a load is applied to the circuit board by inserting, into a connector of the circuit board stored in a board case on a game machine, a connector paired therewith.例文帳に追加

遊技機の基板ケースに収納された回路基板のコネクタに、これと対になるコネクタを差し込むことにより回路基板に荷重が加えられても、回路基板上の電気的接続の不良や断線が起きないようにする。 - 特許庁

To provide a cartoning apparatus capable of inserting a pouch product, for example, having an entire width larger than an opening width of a folding box into the folding box in a smooth and positive manner and capable of preventing poor insertion of the product.例文帳に追加

例えばパウチ製品であって、全幅が折畳箱の開口幅よりも大きいものであっても、円滑且つ確実に折畳箱内に挿入することができ、製品の挿入不良を起こさないカートニング装置を提供する。 - 特許庁

To solve a problem of assembly failure and poor workability which occur, when a terminal metal fitting as a conductive member cannot be inserted correctly in a through-hole on a bottom part of a base in inserting the terminal metal fitting into a mounting hole of the base in assembling a terminal block.例文帳に追加

端子台の組立において、導電部材である端子金具をベースの取付孔に挿通する際、ベースの底部にある貫通孔に正しく挿通できず、組立不良の発生や作業性が悪い問題を解決する。 - 特許庁

An insert speed is raised to 300-600 [mm/min] or the heating temperature at inserting is lowered to 400-600 [°C] so that no poor thermally oxidized film is grown on the surface of the amorphous silicon layer 14 when a semiconductor substrate 10 is inserted into a reactive chamber of the thermal CVD system.例文帳に追加

熱ＣＶＤ装置の反応室内に半導体基板１０を挿入する際にアモルファスシリコン層１４の表面に粗悪な熱酸化膜が成長しないように挿入速度を３００〜６００［ｍｍ／ｍｉｎ］と速くしたり、挿入の際の加熱温度を４００〜６００［℃］と低くしたりする。 - 特許庁