photovoltage methodとは 意味・読み方・使い方

SENSOR FOR DETECTING MOLECULES BASED ON SURFACE PHOTOVOLTAGE METHOD例文帳に追加

表面光電圧法に基づき分子を検出するセンサ - 特許庁

Disclosed is a method for measuring the minority carrier diffusion length in the silicon wafer by a surface photovoltage method.例文帳に追加

表面光電圧法によりシリコンウェーハ中の少数キャリア拡散長を測定する方法。 - 特許庁

To provide a measuring method capable of accurately and easily measuring the diffusion length of minority carriers which are few in number in semiconductor by an SPV (surface photovoltage) method even in the case of a P-type epitaxial wafer.例文帳に追加

Ｐ型エピタキシャルウエハにおいても、ＳＰＶ法により、正確かつ容易に少数キャリア拡散長の測定を行うことができる測定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for measuring a carrier concentration of the silicon epitaxial layer by means of surface photovoltage technique in which the carrier concentration of a silicon epitaxial layer can be measured in a non-contact manner, speedily and easily, and further, the variation in fluctuation between days or in repeatability, etc., is small, for high reliability.例文帳に追加

表面光電圧法によってシリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を測定する方法において、シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を非接触かつ迅速・簡便に測定でき、さらに日間変動や再現性等のばらつきが小さく信頼性の高いキャリア濃度測定方法を提供する。 - 特許庁

In the method for measuring the carrier concentration, where the carrier concentration of the silicon epitaxial layer grown on a silicon wafer is measured by means of the surface photovoltage technique, a depletion layer of maximum width is formed by applying an electric field on the surface of the silicon epitaxial wafer and the carrier concentration is obtained by measuring the maximum depletion layer width.例文帳に追加

シリコンウエーハ上に成長させたシリコンエピタキシャル層のキャリア濃度を表面光電圧法によって測定するキャリア濃度測定方法であって、シリコンエピタキシャルウエーハの表面に電界を印加して最大空乏層幅の空乏層を形成し、該最大空乏層幅を測定することによってキャリア濃度を求めることを特徴とするキャリア濃度測定方法。 - 特許庁