photoresist filmsとは 意味・読み方・使い方

Then, metal thin films 240 and 250 are formed on both surfaces of the metal plate 210 where the photoresist films 220 and 230 are applied (step S104).例文帳に追加

次に、フォトレジスト膜２２０及び２３０が形成された金属板２１０の両面に、金属薄膜２４０及び２５０を形成する（ステップＳ１０４）。 - 特許庁

The method of manufacturing the mask for vapor deposition is carried out by forming photoresist films 12a, 12b through reflection preventing films 30A, 30B on both side surfaces of a metal thin film 10 and exposing them to form a pattern of the passage hole 10A-1 on the photoresist films 12a, 12b.例文帳に追加

蒸着用マスク１の製造方法では、金属薄膜１０の両面に、反射防止膜３０Ａ，３０Ｂを介してフォトレジスト膜１２ａ，１２ｂを形成したのち露光することにより、フォトレジスト膜１２ａ，１２ｂに通過孔１０Ａ−１のパターンを形成する。 - 特許庁

A lowermost positive photoresist layer 38 is formed on a base metal layer 36 of a supporting substrate 34 and then photoresist layers 38 are successively laminated with light shielding films 40 interposed.例文帳に追加

支持基板３４のベースメタル層３６上に、最下層のポジ型フォトレジスト層３８を設け、遮光膜４０を介して順次フォトレジスト層３８を積層してゆく。 - 特許庁

A photoresist 15A is patterned along dicing streets 12 of a wafer 11, and resin encapsulating films 17 surrounded by photoresist 15A are formed by printing.例文帳に追加

ウェーハ１１のダイシングストリート１２の上に沿ってフォトレジスト１５Ａをパターニングし、フォトレジスト１５Ａで囲まれたチップ領域に樹脂封止膜１７を印刷により形成する。 - 特許庁

Then, the patterned photoresist 16 is used as a mask, and the first and second metal films 12A, 15 are dry-etched.例文帳に追加

そして、このパターニングされたフォトレジスト１６をマスクとして用いて、第２金属膜１５、第１金属膜１２Ａをドライエッチングする。 - 特許庁

The insulation films 34, 35 and 36 are selectively removed, by using the photoresist pattern as an etching mask and an opening part 38 is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターンをエッチングマスクとして絶縁膜３４、３５および３６を選択的に除去し、開口部３８を形成する。 - 特許庁

LOCOS oxide polisilicon films 9, 11 and 21 are formed on silicon wafer 1 using a side rinsed photoresist, N type impurities are diffused using a side rinsed photoresist 33 and then P type impurities are diffused using a side rinsed photoresist 34.例文帳に追加

シリコンウェハ１に対しサイドリンスしたフォトレジストを用いたＬＯＣＯＳ酸化、ポリシリコン膜９，１１，２１の形成、サイドリンスしたフォトレジスト３３を用いたＮ型の不純物拡散、サイドリンスしたフォトレジスト３４を用いたＰ型の不純物拡散を行う。 - 特許庁

The method for manufacturing the optical waveguide device further includes steps of applying a photoresist to the Si film, patterning the photoresist so that a portion of the photoresist corresponding to the optical waveguide remains, forming a groove on the substrate along the optical waveguide by reactive ion etching, and removing the photoresist and the Si films.例文帳に追加

光導波路デバイスの製造方法は更に、Ｓｉ膜上にフォトレジストを塗布し、光導波路に対応する部分のフォトレジストが残るようにフォトレジストをパターニングし、反応性イオンエッチングにより、光導通路に沿って基板に溝を形成し、フォトレジスト及びＳｉ膜を剥離するステップを含んでいる。 - 特許庁