phase change nonvolatile random access memoryとは 意味・読み方・使い方

To provide a method for producing a target for forming a phase change recording film used for a phase change RAM (Random Access Memory) as one kind of a semiconductor nonvolatile memory with which presputtering time is shortened.例文帳に追加

半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

An illustrative unit cell of a nonvolatile memory, such as a phase change random access memory (PRAM), is linked to an address line, and a data line and includes a MOS transistor that receives application of a voltage from the data line.例文帳に追加

相変化ランドムアクセスメモリ（ＰＲＡＭ）のような不揮発性メモリの例示的な単位セルはアドレスラインとデータラインに連結され、データラインから電圧の印加を受けるＭＯＳトランジスタを含む。 - 特許庁