p-intrinsic-n diodeとは 意味・読み方・使い方

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 6, intrinsic semiconductor layer, and p-type semiconductor layer 5 are continuously arranged in this order to form a pin diode structure.例文帳に追加

ｎ型半導体層６、真性半導体層およびｐ型半導体層５の順で連続したｐｉｎダイオード構造となる。 - 特許庁

It can be easily judged on the basis of the evaluation of I-V characteristics of the pin diode whether the channel region formed of the intrinsic semiconductor layer is of p-type or n-type.例文帳に追加

ｐｉｎダイオードのＩ−Ｖ特性の評価から真性半導体層にて形成されるチャネル領域がｐ型またはｎ型のいずれか容易に判別できる。 - 特許庁

By utilizing a high concentration impurity leading process for forming source-drain areas of TFTs 30, 80, 90 on the same substrate 10b, the high concentration n-type area 52 and the high concentration p-type area 53 of a diode element 50 are formed and an intrinsic area 51 is formed between these areas 52, 53.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

A heavily doped N type region 52 and a heavily doped P type region 53 of a diode element 50 are formed utilizing a high concentration impurity introduction process for forming the source-drain region of TFTs 30, 80 and 90 on the same substrate 10b, and an intrinsic region 51 is formed between.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

In the image display system containing a light-emitting element having a plurality of photosensors, each photosensor comprises the PIN diode, including an N-type dope semiconductor region, a P-type dope semiconductor region and an intrinsic semiconductor region formed therebetween, and an isolated control gate covering the intrinsic semiconductor region, wherein the isolated control gate provides the PIN diode, having controllable electrical characteristics with respect to saturation photocurrent under a saturation voltage.例文帳に追加

複数の光センサを有する発光素子を含む画像表示システムであって、各光センサは、Ｎ型ドープ半導体領域、Ｐ型ドープ半導体領域と、その間に形成された真性半導体領域を含むＰＩＮダイオード、及び前記真性半導体領域を覆う絶縁された制御ゲートを含み、前記絶縁された制御ゲートは、飽和電圧下の飽和光電流に対して制御可能な電気特性を有するＰＩＮダイオードを提供するシステム。 - 特許庁