ohmic electrodesとは 意味・読み方・使い方

Ohmic electrodes 51 are formed within ranges of the bottom surfaces 6c of the grooves 2 to form ohmic junctions J1 with the p-type semiconductor regions 40.例文帳に追加

オーミック電極５１は、溝２の底面６ｃの範囲内に形成されてp型半導体領域４０にオーミック接合Ｊ１している。 - 特許庁

Since the first and second electrodes 51 and 52 are heat-treated at first and second temperatures, respectively, the both ohmic contact resistances of the first and second electrodes 51 and 52 can be reduced, and the ohmic contact resistance of each of ohmic electrodes 3 and 4 themselves can be reduced.例文帳に追加

第１及び第２電極５１、５２を第１及び第２温度でそれぞれ熱処理しているので、第１及び第２電極５１、５２のオーミックコンタクト抵抗を共に低減させ、各オーミック電極３、４そのもののオーミックコンタクト抵抗を低減させることができる。 - 特許庁

The insulation film IL is formed on one part of the ohmic electrodes OMEa-OMEd.例文帳に追加

絶縁膜ＩＬはオーミック電極ＯＭＥａ〜ＯＭＥｄの一部上に形成されている。 - 特許庁

The contact electrodes 16 are annealed so that the silicon carbide substrate 10 and the contact electrodes 16 are ohmic-connected.例文帳に追加

炭化珪素基板１０とコンタクト電極１６とがオーミックに接続されるようにコンタクト電極１６がアニールされる。 - 特許庁

The transistor 50 is formed of an ohmic electrode 54 in which source/drain electrodes 52A, B are alloyed with a substrate 12 and ohmic-bonded to source/drain regions, and a lead-out electrode 56 ohmic-bonded to the ohmic electrode 54.例文帳に追加

本トランジスタでは、ソース電極／ドレイン電極５２Ａ、Ｂが、基板１２と合金化し、ソース／ドレイン領域とオーミック接合したオーミック電極５４と、オーミック電極とオーミック接合した引き出し電極５６とから構成される。 - 特許庁

Further, there are provided the method of manufacturing these ohmic electrodes for the SiC semiconductor, a semiconductor device using these ohmic electrodes for the SiC semiconductor, and the method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

また、これらのＳｉＣ半導体用オーミック電極の製造方法、これらのＳｉＣ半導体用オーミック電極を用いた半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The P-side ohmic metal electrodes 3A and 3B and the semiconductor crystal are electrically connected together through the intermediary of the metal layer 2 in an ohmic manner.例文帳に追加

Ｐ側オーミックメタル電極部３Ａ，３Ｂと半導体結晶１との金属層２を介しての電気接続はオーミック特性を有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor transistor, capable of forming ohmic electrodes that form an ohmic contact with an active layer while increasing the degree of freedom of processes.例文帳に追加

プロセスの自由度を高めつつ、活性層とオーミックコンタクトをとるオーミック電極を形成できる半導体トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁