noncrystalline semiconductorとは 意味・読み方・使い方

An i-type noncrystalline semiconductor film 4 and an n-type noncrystalline semiconductor film 5 are successively formed on the p-type noncrystalline semiconductor film 3 (c).例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３上にｉ型非晶質半導体膜４及びｎ型非晶質半導体膜５を順次形成する（ｃ）。 - 特許庁

FORMING METHOD FOR P-TYPE NONCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR FILM AND PRODUCING METHOD FOR PHOTOELECTRIC CONVERTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型非結晶半導体膜の形成方法及び光電変換素子の製造方法 - 特許庁

To provide a forming method for p-type noncrystalline semiconductor film, with which lowering in the light transmittance of a translucent conductive film can be suppressed.例文帳に追加

透光性導電膜の光透過率低下を抑制できるｐ型非結晶半導体膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A noncrystalline semiconductor film is formed on an insulated surface, it is crystallized by heating after the metal element to promote the crystallization is added to the noncrystalline semiconductor film, a laser light of a continuous wave oscillation is irradiated to the crystallized semiconductor film , and an upper portion of the crystalline semiconductor film irradiated by the laser is removed.例文帳に追加

本発明は、絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加した後加熱により結晶化し、前記結晶化した半導体膜に連続発振のレーザ光を照射し、前記レーザを照射した結晶性半導体膜の上部を除去することを特徴とする。 - 特許庁

In the case of forming the p-type noncrystalline semiconductor film 3, there are the conditions of substrate temperature ≤210°C and reaction pressure ≥100 mTorr, more preferably, substrate temperature ≤180°C and reaction pressure ≥200 mTorr.例文帳に追加

ｐ型非晶質半導体膜３を形成する際の条件は、基板温度：２１０℃以下、反応圧力：１００ｍＴｏｒｒ以上、より好ましくは、基板温度：１８０℃以下、反応圧力：２００ｍＴｏｒｒ以上とする。 - 特許庁

A semiconductor film with large crystalline size is obtained by the method for fabricating the thin film transistor comprising applying layer beam to an island like noncrystalline semiconductor film on a insulation film, scanning the region irradiated with the laser beam to crystallize the island like noncrystalline semiconductor film, and forming an active layer including a source region, a drain region and a channel forming region.例文帳に追加

絶縁表面上の島状の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記島状の非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた島状の半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

While using a chlorine-containing gas (SiH2Cl2 gas) as a raw material gas, a p-type noncrystalline semiconductor film 3 is formed on a glass substrate 1/transmissive conductive film 2 (SnO2 film) by a plasma CVD method (b).例文帳に追加

ガラス基板１／透光性導電膜２（ＳｎＯ_2 膜）上に、プラズマＣＶＤ法により、塩素を含有するガス（ＳｉＨ_2 Ｃｌ_2 ガス）を原料ガスとして、ｐ型非晶質半導体膜３を形成する（ｂ）。 - 特許庁