neutral radicalとは 意味・読み方・使い方

Since a neutral radical is not charged, the film is formed on the substrate 2 regardless of the negative bias, thus achieving double generation rate, in experimental values, in comparison with a conventional non-bias system.例文帳に追加

中性ラジカルは電荷を帯びていないので、マイナスバイアスと無関係に基板２上に膜が生成されるため、従来の無バイアス方式と比較して、実験値で、２倍の生成レート向上を実現している。 - 特許庁

Kuranosuke OISHI, the head of one faction, adopted a neutral attitude by avoiding the split and did his best to restore the family by suggesting that the radical Edo faction bide their time for revenge.発音を聞く 例文帳に追加

一党の頭目たる大石内蔵助自身は、どっちつかずの態度で分裂を回避しながら、実際にはお家再興に力を入れて、江戸急進派に時節到来を待つよう促すという立場をとった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This cosmetic material is extracted from seaweeds containing 1-10% of sulfate radical with neutral hot water, has ≤600 g/cm2 jelly strength in 1.5% agar concentration and contains agar having 400,000-2,000,000 average molecular weight and specified in having ≥15 cp viscosity at 85°C in a sol of 1.5% agar concentration.例文帳に追加

本発明の化粧料は、硫酸根含量が１〜１０％の原料海藻から中性の熱水で抽出され、１．５％寒天濃度のゲルにおけるゼリー強度が６００ｇ／ｃｍ^2以下であり、かつ１．５％寒天濃度のゾルにおける粘度が８５℃において１５ｃｐ以上であることを特性とする４０万〜２００万の平均分子量の寒天を含有する。 - 特許庁

This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate.例文帳に追加

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板５を有し、プラズマ閉込電極板５には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板７（１１，１２）が複数枚設けられている。 - 特許庁

A pad oxidation film 2 and a nitriding silicon film 3 are formed on a silicon substrate 1, a trench 4 is formed by dry etching to make the nitriding silicon film 3 an etching mask, further the nitriding silicon film 3 is made an oxidation mask to thermally oxidize the silicon substrate 1, and a reforming layer formed on the surface of the nitriding silicon film 3 is removed by a neutral radical containing fluorine in a thermal oxidation process.例文帳に追加

シリコン基板１上にパット酸化膜２と窒化珪素膜３を形成し、窒化珪素膜３をエッチングマスクにしたドライエッチングでトレンチ４を形成し、更に窒化珪素膜３を酸化マスクにしてシリコン基板１を熱酸化し、上記熱酸化工程において窒化珪素膜３表面に形成される改質層をフッ素含有の中性ラジカルで除去する。 - 特許庁

To provide an ultrafine particle electrically adsorbing allergy-inducing proteins, radical functional groups such as neurotransmitters, lipids producing peroxides, DNA and RNA, especially ones completely dispersible with ultrasonic waves only without using a surfactant; and to remove harmful substances such as allergens by directly and electrically adsorbing physiologically active substances electrified in a positive, negative or neutral zone according to the surface potential of the particles.例文帳に追加

アレルギーを発生させるタンパク質や神経伝達物質などのラジカル性官能基及び過酸物を作る脂質、ＤＮＡやＲＮＡを電気的に吸着する超微粒子、特に界面活性剤を使用せずに超音波だけで完全分散可能な超微粒子を提供し、該粒子表面電位により正負又は中性域に帯電する生理活性物質を直接電気吸着しアレルゲンなどの有害物質を除去することを課題としている。 - 特許庁

A manufacturing method of the electron emitting element comprises a process to prepare beforehand a substrate having an insulating or a semi-conductive layer, and a process to expose the layer in an atmosphere including a neutral radical containing hydrogen.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 - 特許庁