negative electron affinityとは 意味・読み方・使い方

The element electrode 4 similarly to the element electrode 2 is selected from a conductive material of which the electron affinity is negative.例文帳に追加

ここで、本素子電極４は、素子電極２と同様に導電性を有しており、かつ、電子親和力が負である材料から選択される。 - 特許庁

A film (101) is formed of a substance having negative electron affinity on an electrically conductive support (100), and is placed in the state of non-contact with a member (103) to be electrified.例文帳に追加

導電性支持体（１００）上に負性電子親和力を持つ物質によって膜（１０１）を形成し、被帯電部材（１０３）と非接触に配置する。 - 特許庁

The photoelectriccathode film 3 is made from, for example, gold, platinum, low work function materials, or semiconductor having small or negative electron affinity.例文帳に追加

光電陰極膜３は、例えば、金、白金などの金属、低仕事関数材料や、小さいもしくは負の電子親和力を有する半導体から成る。 - 特許庁

To provide a superior n-type diamond electron emitting element and an electronic device capable of being constructed thin and flat, having a smaller threshold voltage for electron emission, and allowing effective use of the negative electron affinity force of diamond.例文帳に追加

薄型化及び平板化が可能で電子放出のしきい値電圧が小さく、ダイヤモンドの負の電子親和力を効果的に利用することのできる優れたｎ型ダイヤモンド電子放出素子及び電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To offer a constitution of a micro electron source using a laser emitting element capable of integration equal to that of a NEA(negative electron affinity) photo-cathode and capable of obtaining electron beams having high- brightness and a low energy dispersion characteristic, and to provide an electron beam device capable of downsizing device constitution and improving the throughput.例文帳に追加

本発明は、ＮＥＡフォトカソードと同等の集積化が可能なレーザ発光素子を使用し、高輝度かつ低エネルギー分散特性を有する電子ビームを得ることができる微小電子源の構成を提案し、装置構成を小型化して、スループットの向上を図ることができる電子ビーム装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The reason why large current density is realized is that the p doped region and the p+ doped region work as a material of negative electron affinity when they contact the metal of low work function.例文帳に追加

高電流密度が可能となるのは、ｐドーピング領域およびｐ＋ドーピングされた領域が、低い仕事関数の金属に接したときに、負の電子親和力の材料として動作するからである。 - 特許庁

The device excites electrons with two photons to thereby provide a large polarization even without separating the degeneracy of the energy bands of a heavy electron hole and a light electron hole, and can excite the electrons to a high energy level in a conduction band to thereby dispense with a negative electron affinity for external emission of the electrons from the compound semiconductor.例文帳に追加

この装置によると、２光子で電子が励起されるために重い正孔と軽い正孔のエネルギーバンドの縮退を解かないでも大きな偏極度が得られ、電子を伝導帯内の高いエネルギーレベルにまで励起できるために化合物半導体の外部に電子を放出させるために負の電子親和性を得る必要がない。 - 特許庁

The electron source is an indirect transition semiconductor composed of semiconductor material in which exciton binding energy is great, wherein the electron source forms an active layer by the indirect transition semiconductor, with ≥10% generation efficiency for free exciton with an electrode carrying out active layer current injection and converts a free exciton to a free electron in a negative electron affinity force surface formed in an active layer or in an active region to carry out continuous discharging.例文帳に追加

本発明は、励起子の束縛エネルギーが高い半導体材料で構成される間接遷移型半導体であって、間接遷移型半導体による活性層を形成し、活性層電流注入する電極を有する自由励起子生成効率が10%以上であり、その活性層あるいは活性領域に形成した負の電子親和力表面で自由励起子を自由電子に変換し連続放出させることを特徴とする電子源である。 - 特許庁