nano-polycrystallineとは 意味・読み方・使い方

NANO-LAMINATE OF AMORPHOUS AND POLYCRYSTALLINE SILICON例文帳に追加

アモルファスおよび多結晶シリコンのナノ積層体 - 特許庁

A first composite nano-crystalline layer 4 in which many grains of the polycrystalline silicone and many silicon crystallites are mixed is formed by a nano-crystallization process [Fig. (c)].例文帳に追加

ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第１の複合ナノ結晶層４を形成する（図１（ｃ））。 - 特許庁

After a first compound nano-crystalline layer in which numerous grains of polycrystalline silicon and numerous silicon microcrystals are intermingled is formed by a nano-crystallization process, the first compound nano-crystalline layer is oxidized electrochemically, and an intense-field drift layer 6 is formed (Figure (d)).例文帳に追加

ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第１の複合ナノ結晶層を形成してから、第１の複合ナノ結晶層を電気化学的に酸化するこで強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

The solar cell is provided which includes: a substrate; a first^++ type polycrystalline silicon layer equipped on the substrate; a first type silicon nano-wire layer including a first type silicon nano-wire grown from the first^++ type polycrystalline silicon layer; an intrinsic layer provided on the substrate having the first type silicon nano-wire layer; and a second type doping layer equipped on the intrinsic layer.例文帳に追加

基板と、前記基板上に具備された第１^＋＋型多結晶シリコン層と、前記第１^＋＋型多結晶シリコン層から成長した第１型シリコンナノワイヤを含む第１型シリコンナノワイヤ層と、前記第１型シリコンナノワイヤ層が具備された基板上に具備された真性層と、前記真性層上に具備された第２型ドーピング層と、を含む太陽電池が提供される。 - 特許庁

An intense electric field drift layer 6 is formed by applying a nano-crystallization process and an insulation film formation process to parts overlapping the lower electrodes 12 of the polycrystalline silicon layer 3a (fig. (d)).例文帳に追加

多結晶シリコン層３ａのうち下部電極１２に重なる部分にナノ結晶化工程、絶縁膜形成工程を施すことにより強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

This material 10 is composed of silicon fine crystalline particles 12 or germanium fine crystalline particles in diameter of nano meter order dispersed in silicon carbide polycrystalline film 13 in a dotted state.例文帳に追加

粒径がナノメ−トルオ−ダ−のシリコン微結晶粒子１２又はゲルマニウム微結晶粒子１２がシリコンカ−バイド多結晶体１３中にドット状に分散した発光材料１０である。 - 特許庁

By nano-crystallizing the second polycrystalline silicon layer 4 and forming an insulating film on respective surface of a large number of silicon crystallites of nanometer order, an intense-field drift layer 6 is formed (fig.(e)).例文帳に追加

第２の多結晶シリコン層４をナノ結晶化し、ナノメータオーダの多数のシリコン微結晶それぞれの表面に絶縁膜を形成することによって強電界ドリフト層６を形成する（図１（ｅ））。 - 特許庁