n-type dopingとは 意味・読み方・使い方

In the PECVD process, n-type ZnO is deposited by doping it with B or F, and p-type ZnO is deposited by doping it with nitrogen.例文帳に追加

ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。 - 特許庁

In another example, n-type impurity doping regions 111a are formed to the p-type silicon board 111.例文帳に追加

他の例では、ｐ型シリコン基板１１１に、ｎ型不純物ドープ領域１１１ａが形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate has n-type impurities selectively injected into an n-type well 13 for forming pMOS as channel doping (n-type impurity injection stage).例文帳に追加

半導体基板において、ｐＭＯＳを形成するためのｎ型ウェル１３へ、チャネルドーピングとして、ｎ型不純物を選択的に注入する（ｎ型不純物注入工程）。 - 特許庁

When the doping quantity of an n-type buffer layer 4 is set to be Ce and the doping quantity of a p^+-type emitter layer 5 to be Cb, the ratio Ce/Cb of impurity doping quantity is set to be 2.5 to 8.2.例文帳に追加

ｎ型バッファ層４のドーピング量Ｃｅとｐ＋型エミッタ層５のドーピング量Ｃｂとしたとき、不純物ドーピング量の比Ｃｅ／Ｃｂを２．５以上、且つ８．２以下とする。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 104 to which doping of phosphorous or arsenic was performed is formed on a p-type silicon substrate 101.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１０１上に、リンまたは砒素をドーピングしたＮ型エピタキシャル層１０４を形成する。 - 特許庁

METHOD FOR DOPING OXYGEN TO GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND OXYGEN-DOPED n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

Namely, the n-type compound semiconductor layer 103 has its band gap and n-type doping adjusted to suppress the diffusion of the thermally excited carrier.例文帳に追加

つまり、ｎ型化合物半導体層１０３は、そのバンドギャップとｎ型ドーピングが、熱励起キャリアの拡散を抑制するように調整されている。 - 特許庁

N-type doping regions as sources are formed to the lower sections of the slit structures, and the upper sections of the p-type wells are used as drains.例文帳に追加

また、該スリット構造の下方にはソースとなるｎ型ドーピング領域を形成し、ｐ型ウェル上はドレインとする。 - 特許庁