n-type dopedとは 意味・読み方・使い方

An n-type InP semiconductor board 201 is overlaid with a lightly doped n-type InGaAs light absorption layer 202 and a lightly doped n-type InP aperture layer 203 in this order.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ半導体基板２０１上に低濃度ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層２０２及び低濃度ｎ型ＩｎＰ窓層２０３が順次積層されている。 - 特許庁

To accurately form an n-type high-concentration impurity region doped with only n-type impurities and an n-type low-concentration impurity region doped with n-type impurities and p-type impurities, by self-alignment when forming the n-type high-concentration impurity region and the p-type low-concentration impurity region on a semiconductor substrate adjacently to each other.例文帳に追加

半導体基板にｎ型不純物のみを導入したｎ型高濃度不純物領域と型不純物とｐ型不純物とを導入したｎ型低濃度不純物領域と隣接して形成する際、セルフアライメントにより高精度に形成する。 - 特許庁

An n-type layer is formed by epitaxial growth on a heavily doped substrate which becomes an n^+-type cathode layer 1, and then a p-type anode region 3 is formed on a surface layer of the n-type layer.例文帳に追加

ｎ^+ カソード層１となる高濃度基板上にエピタキシャル成長でｎ層を形成し、このｎ層の表面層にｐアノード領域３を形成する。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor substrate 100 has a silicon carbide mono crystal substrate 101 with an N-doped n-type SiC epitaxial layer 102 with nitrogen (N) doped and a P-doped n-type SiC epitaxial layer 103 with a phosporous (P) doped sequentially laminated.例文帳に追加

炭化珪素半導体基板１００は、炭化珪素単結晶基板１０１上に、窒素（Ｎ）をドープしたＮドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０２、およびリン（Ｐ）をドープしたＰドープｎ型ＳｉＣエピタキシャル層１０３が順に積層されている。 - 特許庁

In the transistor PB, a P+ type impurity doped region 14 and an N type lightly doped well region 12 form a diode D1 whereas, in the transistor NB, an N type lightly doped well region 22, a P type lightly doped well region 20 and a P type lightly doped substrate 10 form a diode D3.例文帳に追加

トランジスタＰＢではＰ^＋型不純物ドープ領域１４とＮ型低濃度ウエル領域１２とでダイオードＤ_１を形成し、トランジスタＮＢではＮ型低濃度ウエル領域２２とＰ型低濃度ウエル領域２０及びＰ型低濃度基板１０とでダイオードＤ_３を形成する。 - 特許庁

The electrically erasable programmable logic device 20 comprises a p-type substrate 22, a first n-type doped region 24, a first gate 26, a second n-type doped region 28, a second gate 30 and a third n-type doped region 32.例文帳に追加

電気的消去可能プログラマブルロジックデバイス２０はＰ型基板２２と、第一Ｎ型ドープ領域２４と、第一ゲート２６と、第二Ｎ型ドープ領域２８と、第二ゲート３０と、第三Ｎ型ドープ領域３２とを含んでなる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板 - 特許庁

When the thus formed P-type doped polysilicon film 18, the N-type doped polysilicon film 1' are used for the dual gates, characteristics of the device are improved.例文帳に追加

このように形成したP型ドープトポリシリコン膜１８とN型ドープトポリシリコン膜１８’とデュアルゲートに用いると、デバイスの特性が向上する。 - 特許庁