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molybdenum silicideとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 けい化モリブデン
「molybdenum silicide」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
The patterns 6 of the translucent film is made by oxidized molybdenum silicide, oxide nitride molybdenum silicide or nitrided molybdenum silicide.例文帳に追加
また、前記半透光膜のパターン6を酸化モリブデンシリサイド又は酸化窒化モリブデンシリサイド又は窒化モリブデンシリサイドで形成する。 - 特許庁
The resistance heating element layer 82 is formed of a molybdenum silicide, a tungsten silicide or the like.例文帳に追加
抵抗発熱体層82は、例えば、モリブデン珪化物、タングステン珪化物等で形成される。 - 特許庁
SILICON NITRIDE-BASED MOLYBDENUM SILICIDE CARBIDE COMPLEX, ITS PRODUCTION AND CERAMIC HEAT USING SILICON NITRIDE- BASED MOLYBDENUM SILICIDE CARBIDE COMPLEX例文帳に追加
窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体及びその製造方法、並びに、窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体を用いたセラミックヒータ - 特許庁
This silicon nitride-based molybdenum silicide carbide complex contains a molybdenum silicide carbide having >0 and ≤10 μm particle diameter in a silicon nitride-based ceramic.例文帳に追加
窒化ケイ素質セラミックス中に、その粒径が0より大きく10μm以下である珪化モリブデン炭化物を含有した窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体である。 - 特許庁
Molybdenum, iron silicide or the like other than silicon can be used as a material for the substrate 17.例文帳に追加
また、基板17の材質には、シリコン以外にモリブデン、ケイ化鉄などを用いることができる。 - 特許庁
The inner conductor 14 contains one or more conductors (including semiconductors) selected from molybdenum silicide, titanium and niobium.例文帳に追加
内部導体は、珪化モリブデン、チタン、ニオブのうちから選ばれる1以上の導電体(半導体含む)を含む。 - 特許庁
The heating element 22 has at least one of silicide, nitride and carbide of molybdenum, and silicide, nitride and carbide of tungsten as a principal component.例文帳に追加
発熱体22は、モリブデンの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、タングステンの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも1つを主成分としている。 - 特許庁
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「molybdenum silicide」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
The nonoxide particle in the ceramic matrix is preferably at least one crystalline particle selected from silicon nitride, silicon carbide, titanium carbide, titanium nitride, tungsten carbide, tungsten silicide, molybdenum carbide and molybdenum silicide.例文帳に追加
前記セラミックマトリックス中の非酸化物粒子が、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタン、窒化チタン、炭化タングステン、珪化タングステン、炭化モリブデンおよび珪化モリブデンから選ばれる少なくとも1種の結晶粒子であるのが好ましい。 - 特許庁
The tungsten-based metal is tungsten metal, a titanium tungsten alloy, a tungsten silicide, a tungsten nitride, molybdenum tungsten.例文帳に追加
タングステン系金属としてはタングステン金属、チタンタングステン合金、タングステンシリサイド、窒化タングステン、モリブデンタングステンなどである。 - 特許庁
The movable electrode 60 is silicified by high melting point metal such as tungsten or molybdenum, etc. and a silicide part 65 is formed.例文帳に追加
可動電極60は、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属によりシリサイド化されてシリサイド部分65が形成されている。 - 特許庁
To obtain a sintered product capable of stably maintaining good mechanical properties at room temperature and in a high temperature region by adding a rare earth element oxide to molybdenum silicide powder accompanying SiO2 and subsequently sintering the powder mixture.例文帳に追加
二珪化モリブデン系焼結体の、原料粉末から持ち込まれるSiO_2 ガラス相(粒界すべりを促進する)を除去し機械的性質を高める。 - 特許庁
To provide a method for making a heating element made from molybdenum silicide and alloys thereof, and which includes aluminum oxide on its surface.例文帳に追加
本質的にモリブデンケイ化物及びこの基本材料の合金を含有し、そしてその表面にアルミニウムオキシドを形成する加熱エレメント製造方法の提供。 - 特許庁
To obtain a silicon nitride-based molybdenum silicide carbide complex having more improved high-temperature strength, oxidation resistance and toughness, to provide a method for producing the complex and a ceramic heater using the complex.例文帳に追加
高温強度、耐酸化性、及び靭性を更に向上させた窒化ケイ素質−珪化モリブデン炭化物複合体及びその製造方法、並びに該複合体を用いたセラミックスヒータを提供する。 - 特許庁
The method for regenerating the pattern of a photomask, for regenerating a pattern 2 formed by using chromium or molybdenum silicide on the substrate 1 of a photomask 10, includes an exposure step of exposing the pattern 2 to an argon fluoride laser beam 3.例文帳に追加
フォトマスク10の基板1上にクロム又はモリブデンシリサイドを用いて形成されたパターン2を再生するためのフォトマスクのパターン再生方法は、パターン2にフッ化アルゴンレーザ3を露光する露光工程を備えることを特徴とする。 - 特許庁
The diode, having an n-type semiconductor layer provided on a surface of a p-type semiconductor substrate and also having the current path formed in the horizontal direction of the substrate, has an anode electrode structure formed by laminating a molybdenum silicide layer, a Ti layer, and an Al layer on a surface of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加
p型半導体基板表面にn型半導体層を設け、基板の水平方向に電流経路が形成されるダイオードにおいて、n型半導体層表面に、モリブデンシリサイド層、Ti層およびAl層を積層したアノード電極構造とする。 - 特許庁
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