molecular beam epitaxy methodとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF GROWING ACTIVE REGION IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING MOLECULAR BEAM EPITAXY例文帳に追加

分子線エピタキシーを用いて半導体デバイス内に活性領域を成長させる方法 - 特許庁

A step for forming the antireflection structure is carried out by any method among a chemical vapor deposition method, a vapor phase epitaxy method and a molecular beam epitaxy method.例文帳に追加

反射防止構造体を形成する工程は、化学蒸着法、気相エピタキシー法、あるいは分子線エピタキシー法のうちのいずれかの方法により行う。 - 特許庁

MOLECULAR BEAM EPITAXY DEVICE AND ITS CLEANING METHOD, AND WAFER MANUFACTURED BY USING THESE AND ITS MANUFACTURE METHOD例文帳に追加

分子線エピタキシー装置とそのクリーニング方法およびこれらを用いて製造されたウエハとその製造方法 - 特許庁

CATALYST-DRIVEN MOLECULAR BEAM EPITAXY EQUIPMENT AND METHOD OF MAKING GROUP III NITRIDE MATERIAL GROW USING THE SAME例文帳に追加

触媒分子線エピタキシ装置及びそれを用いてＩＩＩ族窒化物材料を成長させる方法 - 特許庁

METHOD OF FLATTENING/CLEANING SURFACE OF CRYSTALLINE InP SUBSTRATE AND METHOD OF GROWING SEMICONDUCTOR DEVICE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY USING IT例文帳に追加

ＩｎＰ結晶基板表面の平坦・清浄化方法及びそれを用いた半導体デバイスの分子線エピタキシャル成長方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁

This forming method includes forming the carbonaceous film made from fullerene on a substrate by a cluster ion beam technique or a molecular beam epitaxy technique, by using fullerene as the raw material.例文帳に追加

フラーレンを原料とし、クラスタイオンビーム法または分子線エピタキシー法により、基板上にフラーレンから成る炭素質皮膜を形成する。 - 特許庁

In a method of forming the semiconductor layer on a wafer through a molecular beam epitaxy method or a gas source molecular beam epitaxy method, at least two cells, which are installed in face to face with their discharge orifices toward the surface of the wafer where the semiconductor layer is formed, are used at the same time for feeding a single raw material.例文帳に追加

分子線エピタキシー法またはガスソース分子線エピタキシー法によりウエハ上に半導体層を作製する方法において、一つの原料を供給するために、半導体層を作製する面に出射口を向けて設置された少なくとも二つのセルを同時に使用する。 - 特許庁