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mn4とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「mn4」の意味 |
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「mn4」を含む例文一覧
該当件数 : 26件
A switch element is connected between the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and a ground potential to bring the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) to the ground potential when the fourth n-channel MOSFET (Mn4) is off.例文帳に追加
スイッチ素子は、第4nチャネルMOSFET(Mn4)のソース端子とグラウンド電位との間に接続され、第4nチャネルMOSFET(Mn4)のオフ時に第4nチャネルMOSFET(Mn4)のソース端子をグラウンド電位にする。 - 特許庁
A fourth n-channel MOSFET (Mn4) has a source terminal and a back gate terminal connected to each other.例文帳に追加
第4nチャネルMOSFET(Mn4)は、ソース端子とバーグゲート端子間が接続されている。 - 特許庁
Respective MOSFETs (MN1 to MN4) which perform charge pump operation are supplied with different substrate potentials to minimize back-gate bias voltages by the MOSFETs (MN1 to MN4).例文帳に追加
チャージポンプ動作を行う各MOSFET(MN1〜MN4)に夫々異なる基板電位を供給することにより、各MOSFET(MN1〜MN4)毎にバックゲートバイアス電圧を最小化している。 - 特許庁
An inverter output terminal Vout is extracted from a connecting point between the MP3 and the MN4, a PMOS output terminal YP is extracted from a connecting point between the MP1 and the MN3, and an NMOS output terminal YN is extracted from a connecting point between the MN4 and the MN2.例文帳に追加
MP3とMN4の接続点からインバーター出力端子Voutを、MP1とMP3の接続点からPMOS出力端子YPを、MN4とMN2の接続点からNMOS出力端子YNを引き出す。 - 特許庁
A clamp voltage VBp is applied to a gate of the clamp TR MP3 and a clamp voltage VBn is applied to a gate of the clamp TR MN4.例文帳に追加
クランプトランジスタMP3のゲートにはクランプ電圧VBpを、MN4のゲートにはクランプ電圧VBnを印加する。 - 特許庁
Between a gate electrode of the Mn2 and a ground, a transistor Mn4 controlled by a command signal DNb is connected.例文帳に追加
Mn2のゲート電極と接地の間には、指令信号DNbで制御されるトランジスタMn4が接続されている。 - 特許庁
A protection circuit 40 is disposed between a junction of the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and an input terminal of the switch element, and the ground potential to lead a negative current flowing in from a drain terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) owing to electrostatic discharge to the ground potential.例文帳に追加
保護回路40は、第4nチャネルMOSFET(Mn4)のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第4nチャネルMOSFET(Mn4)のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 - 特許庁
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「mn4」を含む例文一覧
該当件数 : 26件
This device has such a constitution that a breakdown strength relaxing MOS transistor is inserted into a word driver and NMOS transistors Mn3, Mn4 supplying a read-out potential are used.例文帳に追加
本願発明は、ワードドライバに、耐圧緩和MOSトランジスタを挿入し、読み出し電位を供給するNMOSトランジスタMn3、Mn4を用いた構成とする。 - 特許庁
An output N-channel MOS transistor MN3 of the Out-Drv and the MN4 forming the capacitor C1 are formed through the same manufacture processes.例文帳に追加
Out_Drvの出力NチャンネルMOSトランジスタMN3と容量C1を形成するMN4とは、同一製造プロセスにより形成される。 - 特許庁
Two clamp transistors(TRs) MP3, MN4 are connected in series between operating TRs MP1 (PMOS) and MN2 (NMOS) being components of a CMOS inverter circuit.例文帳に追加
CMOSインバーター回路を構成する動作トランジスタMP1(PMOS)とMN2(NMOS)の間に、2つのクランプトランジスタMP3とMN4を直列に接続する。 - 特許庁
The Nch transistors MN3 and MN5 are connected to the Nch transistor MN1, and the Nch transistors MN4 and MN7 are connected to the Nch transistor MN2.例文帳に追加
NchトランジスタMN1にはNchトランジスタMN3及びMN5が、NchトランジスタMN2にはNchトランジスタMN4及びMN7が接続される。 - 特許庁
A current supply circuit for supplying currents equally to two transistors MP1 and MN2 is composed of transistors MN3 and MN4 and an operational amplifier OP1.例文帳に追加
2つのトランジスタMP1,MN2に大きさの等しい電流を供給する電流供給回路をトランジスタMN3,MN4,および演算増幅器OP1で構成する。 - 特許庁
A reference voltage, i.e., the voltage of a signal to be compared is applied to the gates of the first and third PMOS transistors MP3, MP6 and the first and third NMOS transistors MN4, MN7.例文帳に追加
第1、第3のPMOSトランジスタMP3、MP6、第1、第3のNMOSトランジスタMN4、MN7のゲートには、基準電圧、比較対象となる信号の電圧が印加される。 - 特許庁
Also, the pressurization potential is divided by resistance to generate plural potentials VR1-VR4, which are pressure-lowered and are supplied to corresponding MOSFET MN1-MN4 as their substrate potential.例文帳に追加
また、昇圧電位を抵抗分割して降圧された複数の電位VR1〜VR4を発生させ、その電位を対応する各MOSFET(MN1〜MN4)の基板電位として供給する。 - 特許庁
N channel MOS transistors MN1, MN2, MN4 and MN5 are turned on in accordance with a pulse signal whose pulsewidth is a term, wherein both the write enable signals WE1 and WE2 become H, data signals D and /D are written in the nodes N1 and N2.例文帳に追加
ライトイネーブル信号WE1およびWE2がともにHとなる期間をパルス幅とするパルス信号に応じてNチャネルMOSトランジスタMN1,MN2,MN4,MN5がオンし、データ信号D,/DがノードN1,N2に書込まれる。 - 特許庁
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