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mn4とは 意味・読み方・使い方

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遺伝子名称シソーラスでの「mn4」の意味

mn4

fly遺伝子名mn4
同義語(エイリアス)l(1)14Ai; l(1)XII; l(1)13Fl; lethal (1) 14Ai
SWISS-PROTのID---
EntrezGeneのIDEntrezGene:45453
その他のDBのIDFlyBase:FBgn0013513

本文中に表示されているデータベースの説明

SWISS-PROT
スイスバイオインフォマティクス研究所欧州バイオインフォマティクス研究所によって開発運営されているタンパク質アミノ酸配列データベース
EntrezGene
NCBIによって運営されている遺伝子データベース染色体上の位置配列発現構造機能、ホモロジーデータなどが含まれている
FlyBase
米英大学のショウジョウバエ研究者などにより運営されるショウジョウバエ生態遺伝子情報に関するデータベース

「mn4」を含む例文一覧

該当件数 : 26



例文

A switch element is connected between the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and a ground potential to bring the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) to the ground potential when the fourth n-channel MOSFET (Mn4) is off.例文帳に追加

スイッチ素子は、第4nチャネルMOSFET(Mn4)のソース端子とグラウンド電位との間に接続され、第4nチャネルMOSFET(Mn4)のオフ時に第4nチャネルMOSFET(Mn4)のソース端子をグラウンド電位にする。 - 特許庁

A fourth n-channel MOSFET (Mn4) has a source terminal and a back gate terminal connected to each other.例文帳に追加

第4nチャネルMOSFET(Mn4)は、ソース端子とバーグゲート端子間が接続されている。 - 特許庁

Respective MOSFETs (MN1 to MN4) which perform charge pump operation are supplied with different substrate potentials to minimize back-gate bias voltages by the MOSFETs (MN1 to MN4).例文帳に追加

チャージポンプ動作を行う各MOSFET(MN1〜MN4)に夫々異なる基板電位を供給することにより、各MOSFET(MN1〜MN4)毎にバックゲートバイアス電圧を最小化している。 - 特許庁

An inverter output terminal Vout is extracted from a connecting point between the MP3 and the MN4, a PMOS output terminal YP is extracted from a connecting point between the MP1 and the MN3, and an NMOS output terminal YN is extracted from a connecting point between the MN4 and the MN2.例文帳に追加

MP3とMN4の接続点からインバーター出力端子Voutを、MP1とMP3の接続点からPMOS出力端子YPを、MN4とMN2の接続点からNMOS出力端子YNを引き出す。 - 特許庁

A clamp voltage VBp is applied to a gate of the clamp TR MP3 and a clamp voltage VBn is applied to a gate of the clamp TR MN4.例文帳に追加

クランプトランジスタMP3のゲートにはクランプ電圧VBpを、MN4のゲートにはクランプ電圧VBnを印加する。 - 特許庁

Between a gate electrode of the Mn2 and a ground, a transistor Mn4 controlled by a command signal DNb is connected.例文帳に追加

Mn2のゲート電極と接地の間には、指令信号DNbで制御されるトランジスタMn4が接続されている。 - 特許庁

例文

A protection circuit 40 is disposed between a junction of the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and an input terminal of the switch element, and the ground potential to lead a negative current flowing in from a drain terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) owing to electrostatic discharge to the ground potential.例文帳に追加

保護回路40は、第4nチャネルMOSFET(Mn4)のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第4nチャネルMOSFET(Mn4)のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 - 特許庁

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「mn4」を含む例文一覧

該当件数 : 26



例文

This device has such a constitution that a breakdown strength relaxing MOS transistor is inserted into a word driver and NMOS transistors Mn3, Mn4 supplying a read-out potential are used.例文帳に追加

本願発明は、ワードドライバに、耐圧緩和MOSトランジスタを挿入し、読み出し電位を供給するNMOSトランジスタMn3、Mn4を用いた構成とする。 - 特許庁

An output N-channel MOS transistor MN3 of the Out-Drv and the MN4 forming the capacitor C1 are formed through the same manufacture processes.例文帳に追加

Out_Drvの出力NチャンネルMOSトランジスタMN3と容量C1を形成するMN4とは、同一製造プロセスにより形成される。 - 特許庁

Two clamp transistors(TRs) MP3, MN4 are connected in series between operating TRs MP1 (PMOS) and MN2 (NMOS) being components of a CMOS inverter circuit.例文帳に追加

CMOSインバーター回路を構成する動作トランジスタMP1(PMOS)とMN2(NMOS)の間に、2つのクランプトランジスタMP3とMN4を直列に接続する。 - 特許庁

The Nch transistors MN3 and MN5 are connected to the Nch transistor MN1, and the Nch transistors MN4 and MN7 are connected to the Nch transistor MN2.例文帳に追加

NchトランジスタMN1にはNchトランジスタMN3及びMN5が、NchトランジスタMN2にはNchトランジスタMN4及びMN7が接続される。 - 特許庁

A current supply circuit for supplying currents equally to two transistors MP1 and MN2 is composed of transistors MN3 and MN4 and an operational amplifier OP1.例文帳に追加

2つのトランジスタMP1,MN2に大きさの等しい電流を供給する電流供給回路をトランジスタMN3,MN4,および演算増幅器OP1で構成する。 - 特許庁

A reference voltage, i.e., the voltage of a signal to be compared is applied to the gates of the first and third PMOS transistors MP3, MP6 and the first and third NMOS transistors MN4, MN7.例文帳に追加

第1、第3のPMOSトランジスタMP3、MP6、第1、第3のNMOSトランジスタMN4、MN7のゲートには、基準電圧、比較対象となる信号の電圧が印加される。 - 特許庁

Also, the pressurization potential is divided by resistance to generate plural potentials VR1-VR4, which are pressure-lowered and are supplied to corresponding MOSFET MN1-MN4 as their substrate potential.例文帳に追加

また、昇圧電位を抵抗分割して降圧された複数の電位VR1〜VR4を発生させ、その電位を対応する各MOSFET(MN1〜MN4)の基板電位として供給する。 - 特許庁

例文

N channel MOS transistors MN1, MN2, MN4 and MN5 are turned on in accordance with a pulse signal whose pulsewidth is a term, wherein both the write enable signals WE1 and WE2 become H, data signals D and /D are written in the nodes N1 and N2.例文帳に追加

ライトイネーブル信号WE1およびWE2がともにHとなる期間をパルス幅とするパルス信号に応じてNチャネルMOSトランジスタMN1,MN2,MN4,MN5がオンし、データ信号D,/DがノードN1,N2に書込まれる。 - 特許庁

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