mixed carbideとは 意味・読み方・使い方

The method for manufacturing the silicon carbide sintered compact comprises firing a mixed powder comprising a silicon carbide powder and a non-metallic sintering aid, provided that a silicon-containing silicon source is mixed into the mixed powder.例文帳に追加

炭化ケイ素粉末及び非金属系焼結助剤を含む混合粉体を焼成するにあたり、前記混合粉体にケイ素を含むケイ素源を混合することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法である。 - 特許庁

The bristle 72 is made of aluminum oxide, silicon carbide or the like mixed into nylon fiber.例文帳に追加

毛７２は、ナイロン繊維中に酸化アルミナ、シリコンカーバイトなどを混入させたものとされている。 - 特許庁

The asphalt mixture mixed with the carbide to be obtained is paved on the surface of the road.例文帳に追加

そして、こうして得られた、炭化物を混入したアスファルト混合物を道路表面に舗装する。 - 特許庁

The thermal spraying material is formed of a material with boride and carbide mixed therein, and contains no metal elements.例文帳に追加

ホウ素化物と炭化物を混合した材料からなり、金属成分を含まない溶射材料とする。 - 特許庁

The tungsten carbide may be mixed by ≥94% to less than 100% in weight ratio with respect to nylon.例文帳に追加

タングステンカーバイトはナイロンに対して重量比９４％以上１００％未満混合するとよい。 - 特許庁

This silicon carbide sintered compact comprises a silicon carbide matrix obtained by sintering mixed powder of 40-60 wt.% of silicon carbide powder having <1 μm average particle diameter and 2.0-3.0 aspect ratio and the rest of silicon carbide powder having <1 μm average particle diameter and <2.0 aspect ratio.例文帳に追加

炭化珪素マトリックスが、平均粒子径が１μｍ未満でアスペクト比が２．０〜３．０の炭化珪素粉末４０〜６０重量％と残部が平均粒径が１μｍ未満でアスペクト比２．０未満の炭化珪素粉末との混合粉末を焼結して構成される。 - 特許庁

The titanium silicon carbide sintered compact is characterized in that it is obtained by sintering a mixed powder composed of titanium (Ti), silicon carbide (SiC) and titanium carbide (TiC) by a pulse energizing pressure sintering method, in that the crystal grain size is 10 μm or smaller, and in that the content of the titanium carbide (TiC) is 8 wt.% or less.例文帳に追加

チタン（Ti）、炭化珪素（SiC）、炭化チタン（TiC）の混合粉末をパルス通電加圧焼結することにより得られ、結晶粒径が１０μｍ以下であり、炭化チタン（TiC）含有量が８ｗｔ％以下であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド焼結体。 - 特許庁

A silicon carbide single crystal is grown from a silicon carbide single crystal substrate 10 being a seed crystal by arranging the silicon carbide single crystal substrate 10 being the seed crystal in a crucible 4 and introducing a mixed gas of a gas containing Si and a gas containing C from a mixed gas introducing tube 13.例文帳に追加

ルツボ４内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板１０を配置し、ルツボ４内に、Ｓｉを含有するガスと、Ｃを含有するガスとの混合ガスを混合ガス導入管１３から導入することにより、炭化珪素単結晶基板１０から炭化珪素単結晶を成長させる。 - 特許庁