mini bandとは 意味・読み方・使い方

Each of the active layers 15, 25 includes a light emission upper level, a light emission lower level and a relaxation mini-band in its level structure; and is structured such that electrons having passed through light emission transition from the upper level to the lower level are relaxed from the lower level to the mini-band by LO phonon scattering.例文帳に追加

活性層１５、２５のそれぞれは、その準位構造において、発光上準位と、発光下準位と、緩和ミニバンドとを有し、上準位から下準位への発光遷移を経た電子が、ＬＯフォノン散乱によって下準位からミニバンドへと緩和されるように構成される。 - 特許庁

To provide an ISB(inter-subband) SL(superlattice) emitter which comprises an almost flat mini band as well as a wave function which is spatially symmetric, and permits independent control of an applied electric field, derred operating wavelength, shape of the wave function, and energy position of the remaining state the mini band.例文帳に追加

ほぼ平坦なミニバンドを備えるのみならず、ほぼ空間的に対称な波動関数を備え、印加電界、所望の動作波長、波動関数の形状、および、ミニバンド内の残りの状態のエネルギー位置の独立制御が可能なＩＳＢ（サブバンド間）ＳＬ（超格子）エミッタを実現する。 - 特許庁

For example, a lower mini band 1 has a first and a second energy levels and an upper mini band 2 has a third and a fourth levels.例文帳に追加

上部及び下部レベルの第１の対間の電子遷移により、中心波長λ_1 及び第１の線広がりエネルギーを有する第１の自発放射線で光を発生し、上部及び下部レベルの第２の対間の電子遷移により、中心波長λ_2 及び第２の線広がりエネルギーを有する第２の自発放射線で光を発生する。 - 特許庁

On the contrary, the adjoining SPQWs are jointed each other by another barrier layer of such thickness as the mini band is generated across the RT regions.例文帳に追加

これに対して、隣り合うＳＰＱＷは、ミニバンドが各ＲＴ領域を横切って生成されるような厚さを有する別の障壁層によって互いに結合する。 - 特許庁

The lamination structure of the bonding layer 130 is designed so that a difference in energy between the lower end of mini band formed by the bonding layer 130 and the Fermi level of the waveguide layer 140 may be smaller than that between the lower end of mini band formed by the active layer 120 and the Fermi level of the waveguide layer 140.例文帳に追加

前記接合層１３０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差が、前記活性層１２０によって形成されるミニバンドの下端と前記導波路層１４０のフェルミ準位とのエネルギー差に比べて小さくなるように、前記接合層１３０の積層構造は設計されている。 - 特許庁

The minimum energy level 21 of the mini band 18 is equal to or greater than the energy level of a guiding region 3 between the active region 2 and the superlattice region 13.例文帳に追加

ミニバンド１８の最小エネルギー準位２１は、活性領域２と超格子領域１３との間のガイド領域３のエネルギー準位に等しいかまたはこれより大きい。 - 特許庁

A semiconductor element where, movement of carriers into an active region 2 is improved by forming a mini band 18 inside a superlattice region 13 having laminated patterns of a first and second semiconductors.例文帳に追加

第１および第２半導体の積層パターンを有する超格子領域１３内にミニバンド１８を形成することによって活性領域２へのキャリヤの移動が向上する半導体素子が提供される。 - 特許庁