metal-electrode semiconductor field-effect transistorとは 意味・読み方・使い方

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device having a proper threshold voltage even when a metal having a work function higher than a predetermined value is employed as a gate electrode for a P-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).例文帳に追加

本発明は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴのゲート電極に所定値以上の仕事関数を有するメタルを用いた場合であっても、適正なしきい値電圧を有する半導体装置及び当該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a power semiconductor device 1, a first metal insulating film semiconductor type field effect transistor 22 and a second metal insulating film semiconductor type field effect transistor 23, connected serially in a plurality of numbers, are provided between a negative electrode terminal 11 and the source region of a power semiconductor switching element 21 of a cascode element 20, with a high-speed diode 30 electrically provided in parallel with the cascode element 20.例文帳に追加

電力用半導体装置１において、カスコード素子２０の電力用半導体スイッチング素子２１のソース領域と負極端子１１との間に複数直列接続された第１の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２２及び第２の金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ２３を備え、カスコード素子２０に対して電気的に並列に高速ダイオード３０を備える。 - 特許庁

A lateral power metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equipped with a gate structure where an insulated gate is connected to a gate electrode at a plurality of spots through the intermediary of contacts is provided.例文帳に追加

絶縁したゲートがコンタクトを介して複数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。 - 特許庁

A lateral power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) is provided, having a gate structure of connecting the insulated gate to the gate electrode through contacts at a plurality of locations.例文帳に追加

絶縁したゲートがコンタクトを介して複数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises a step of forming an epitaxial layer 35a as a base layer of the bipolar transistor, in a state in which a gate electrode 31 of the insulated gate field effect transistor having at least a compound film of a high melting point metal is covered with a diffusion preventive film 57 of the high melting point metal.例文帳に追加

高融点金属の化合物膜を少なくとも含む絶縁ゲート型電界効果トランジスタのゲート電極３１を高融点金属の拡散防止膜５７で覆った状態で、バイポーラトランジスタのベース層としてのエピタキシャル層３５ａを形成する。 - 特許庁

To set a plurality of threshold voltages without depending upon a gate insulating film, a channel or the like in a semiconductor device utilizing a metal insulating-film semiconductor field-effect transistor using a metallic semiconductor compound containing a metal and silicon and/or germanium as essential components as a gate electrode.例文帳に追加

金属とシリコンおよび／またはゲルマニウムを必須として含む金属半導体化合物をゲート電極とする金属絶縁膜半導体電界効果トランジスタを利用した半導体装置において、ゲート絶縁膜やチャネル等によらずに複数の閾値電圧を設定する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a gate insulating film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate insulating film, and a plurality of kinds of field-effect transistor differing in threshold voltages, at least one kind of field-effect transistors having at least one kind of metal present in its gate insulating film.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を含む閾値電圧が異なる複数種類の電界効果型トランジスタを備え、電界効果型トランジスタの少なくとも１種類は、ゲート絶縁膜に少なくとも１種類の金属が存在する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a p-type MISFET (metal insulator semiconductor field effect transistor) and an n-type MISFET having respectively the optimal gate insulating film and gate electrode while not generating poly silicon film residue which becomes the cause of failure.例文帳に追加

それぞれが最適なゲート絶縁膜及びゲート電極を有するｐ型ＭＩＳＦＥＴ及びｎ型ＭＩＳＦＥＴを備え且つ不良の原因となるポリシリコン膜残渣が発生することがない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁