metal oxide silicon field effect transistorとは 意味・読み方・使い方

In the semiconductor device, an MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁

To provide a device for depositing a dielectric film having a very thin thickness, high evenness of film quality and a higher dielectric constant, in a MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上のＭＯＳＦＥＴにおいて、非常に薄い厚みを有し、膜質の高い均一性を有し、より高い誘電率を有する誘電体膜を堆積する装置を提供する。 - 特許庁

To provide a structure capable of decreasing on-resistance and improving element characteristics by improving carrier mobility in a channel forming region of a vertical MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) employing a silicon carbide.例文帳に追加

炭化珪素を用いた縦型ＭＯＳＦＥＴのチャネル形成領域でのキャリアの移動度を高め、オン抵抗の低下及び素子特性の向上を可能とする構成を提供する。 - 特許庁

An MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) of the semiconductor device includes an n-type drift layer 2 formed on an n-type substrate 1 of silicon carbide, and a p-type body layer 3 selectively formed on the n-type drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、炭化珪素のｎ型基板１上に形成されたｎ型ドリフト層２と、ｎ型ドリフト層２の上部に選択的に形成されたｐ型ボディ層３とを有する。 - 特許庁

To reduce the off-leak current while suppressing deterioration of a driving capacity by preventing the concentration of impurities from becoming too high, in a fully-deplete NMOSFET (non-metal oxide semiconductor field-effect transistor) formed on an SOI (silicon insulator) film.例文帳に追加

ＳＯＩ膜に形成された完全空乏型のＮＭＯＳＦＥＴにおいて、不純物濃度が高すぎることがないようにして、駆動能力の低下を抑制しながら、オフリーク電流を小さくする。 - 特許庁

The semiconductor device includes an MIS field-effect transistor including a silicon substrate, a gate insulating film provided on this silicon substrate via a silicon-containing insulating film and having a high-permittivity metal oxide film, and a silicon-containing gate electrode formed on this gate insulating film, and further including a nitrogen-containing part on at least a side face side of the high-permittivity metal oxide film.例文帳に追加

シリコン基板と、このシリコン基板上にシリコン含有絶縁膜を介して設けられた高誘電率金属酸化膜を有するゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたシリコン含有ゲート電極とを有し、少なくとも前記高誘電率金属酸化膜の側面側に窒素含有部を有するＭＩＳ型電界効果トランジスタを備えた半導体装置。 - 特許庁

In the base unit structure of a silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the doping concentration at a channel formation section 3c of the well region 3 is minimum at the top surface, and the doping concentration at the bottom of the well region 3 is the same in the lower part 3a of the source region 4 and the lower part 3b of the channel formation section 3c.例文帳に追加

炭化珪素ＭＯＳＦＥＴの基本単位構造において、ウェル領域３のチャネル形成部３ｃのドーピング濃度は上面部で最小になり、ウェル領域３の底部のドーピング濃度はソース領域４の下の部分３ａとチャネル形成部３ｃの下の部分３ｂとで同じである。 - 特許庁