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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 機械工学英和和英辞典 > metal oxide semiconductor transistorの意味・解説 

metal oxide semiconductor transistorとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 MOSトランジスタ

機械工学英和和英辞典での「metal oxide semiconductor transistor」の意味

metal oxide semiconductor transistor (MOST)


「metal oxide semiconductor transistor」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 195



例文

NARROW CHANNEL METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

狭チャネル金属酸化物半導体トランジスタ - 特許庁

METAL OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ - 特許庁

MANUFACTURE OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加

金属—酸化物—半導体トランジスタの製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR HETEROJUNCTION METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, METAL OXIDE SEMICONDUCTOR AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体および薄膜トランジスタ - 特許庁

The semiconductor device 1 includes an SBD (Schottky Barrier Diode) 20 in parallel with the parasitic diode of an SJMOSFET (Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 17.例文帳に追加

半導体装置1は、SJMOSFET(Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)17の寄生ダイオードと並列に、SBD(Schottky Barrier Diode)20を備えている。 - 特許庁

例文

Each switch (M1-M4) of the first switch group and the second switch group is constituted by a P-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

第1スイッチ群および第2スイッチ群の各スイッチ(M1〜M4)は、PチャンネルMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)で構成される。 - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「metal oxide semiconductor transistor」の意味

metal oxide semiconductor transistor


「metal oxide semiconductor transistor」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 195



例文

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加

酸化膜電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

To manufacture a semiconductor device having a complementary LDMOS (Laterally diffused Metal Oxide Semiconductor) transistor and a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) transistor mounted together thereon, while suppressing variations of characteristics for every transistor.例文帳に追加

相補型LDMOSトランジスタとCMOSトランジスタとを混載した半導体装置を、トランジスタ毎の特性のばらつきを抑制して製造する。 - 特許庁

To provide a metal oxide semiconductor particle dispersion composition which can form a metal oxide semiconductor thin film having excellent electrical characteristics even at low temperatures, and to provide a metal oxide semiconductor thin film, a transparent conductive film and a thin film transistor using the metal oxide semiconductor particle dispersion composition.例文帳に追加

電気的特性に優れる金属酸化物半導体薄膜を低温でも形成することが可能な金属酸化物半導体粒子分散組成物を提供する。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体、その製造方法及び薄膜トランジスタ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, THE METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体の製造方法、金属酸化物半導体及びこれを用いた半導体素子、薄膜トランジスタ - 特許庁

To provide a semiconductor device with large on-current of a MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).例文帳に追加

MOSFETのオン電流の大きな半導体装置を提供する。 - 特許庁

METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING IT, AND THIN-FILM TRANSISTOR例文帳に追加

金属酸化物半導体とその製造方法および薄膜トランジスタ - 特許庁

例文

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, METAL OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法、金属酸化物半導体薄膜及び薄膜トランジスタ - 特許庁

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