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「memory wall」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 153



例文

MAGNETIC WALL RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁壁ランダムアクセスメモリ - 特許庁

DOMAIN WALL DISPLACEMENT TYPE MEMORY DEVICE例文帳に追加

磁壁移動型メモリ素子 - 特許庁

MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE AND MAGNETIC WALL MOVEMENT METHOD例文帳に追加

磁気記憶素子、磁気記憶装置、磁壁移動方法 - 特許庁

DOMAIN WALL DISPLACEMENT ELEMENT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁壁移動素子、及び、磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

SIDE WALL PROCESS FOR IMPROVING FLASH MEMORY CELL PERFORMANCE例文帳に追加

フラッシュ・メモリセル性能を改良するための側壁プロセス - 特許庁

To provide magnetic memory element, magnetic memory device and magnetic wall movement method, enabling stable movement of a magnetic wall in a magnetic substance.例文帳に追加

磁性体中の磁壁を安定して移動させる磁気記憶素子、および磁壁移動方法を提供する。 - 特許庁

例文

MAGNETIC WALL DISPLACEMENT TYPE MEMORY CELL MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁壁移動型メモリセル材料およびその作製方法 - 特許庁

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「memory wall」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 153



例文

A magnetic collection spacer is formed on a side wall of a magnetoresistance memory cell.例文帳に追加

磁気抵抗記憶セルの側壁に磁気集束スペーサを形成する。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTAINING CONDUCTIVE SIDE WALL SPACER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

導電性側壁スペーサを有する不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

The microprocessor receives a signal related to a wall thickness to compare the same with the memory data related to a desired wall thickness to transmit the same as wall thickness data.例文帳に追加

マイクロプロセッサは、肉厚に関する信号を受信し、該信号を所望肉厚に関する記憶情報と比較し、肉厚情報として発信する。 - 特許庁

The memory cell includes a magnetic domain wall moving layer in which a magnetic domain wall moves, and a magnetization fixed layer which is connected to both respective ends of the magnetic domain wall moving layer and traps the magnetic domain wall in a periphery of either of both ends.例文帳に追加

メモリセルは、磁壁が移動する磁壁移動層と、磁壁移動層の両端部の各々に接続し、両端部のいずれかの近傍で磁壁をトラップする磁化固定層とを具備する。 - 特許庁

The memory cartridges M1 and M2 are arranged along the inner wall surface of the case main body 1 so that the memory cartridges are opposed to the corresponding memory readers R1 and R2.例文帳に追加

これらメモリーカートリッジM1・M2を、対応する前記メモリーリーダR1・R2と正対するように、ケース本体1の内壁面に沿うよう配置する。 - 特許庁

In this shape memory alloy tube, layers in which a shape memory alloy and aluminum are alloyed are respectively formed on the inside and outside wall surfaces of the shape memory alloy tube.例文帳に追加

形状記憶合金のチューブの内外壁表面に、形状記憶合金とAlを合金化した層を形成した形状記憶合金チューブとする。 - 特許庁

WALL OXIDE FILM FORMING METHOD AND ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のウォール酸化膜形成方法及び素子分離膜形成方法 - 特許庁

例文

To suppress the variation in gate length of a memory transistor which is formed in a side wall structure.例文帳に追加

サイドウォール構造で形成されるメモリトランジスタのゲート長のバラツキを抑制する。 - 特許庁

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