memory for elementsとは 意味・読み方・使い方

Further, the method for producing a memory composed of a plurality of memory elements comprises a step where the ionized layer of memory elements containing elements ionized by sputtering is formed using the target.例文帳に追加

また、このターゲットを使用して、スパッタリングにより、イオン化する元素を含有する、メモリ素子のイオン化層を形成する工程を含んで、複数個のメモリ素子によって構成されたメモリを製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element and a semiconductor memory device that are designed for shortening the time necessary for testing a plurality of semiconductor memory elements.例文帳に追加

複数の半導体記憶素子の試験に要する時間の短縮を図った半導体記憶素子および半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To realize a method for a self-test of constitution elements of a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリー構成要素の自己試験のための方法を実現すること。 - 特許庁

To provide a method for controlling a refresh sequence for multiple memory elements within an electronic device.例文帳に追加

電子デバイス内の複数のメモリ・エレメントに関するリフレッシュ・シーケンスを制御する方法を提供する。 - 特許庁

Data terminals X1 for the memory elements 200a, 200b are connected with a ϕ1 line 111, and data terminals X1 for the memory elements 200c, 200d are connected with a ϕ2 line 112.例文帳に追加

メモリ素子２００ａ，２００ｂのデータ端子Ｘ１は、φ１ライン１１１に、メモリ素子２００ｃ，２００ｄのデータ端子Ｘ１はφ２ライン１１２に接続される。 - 特許庁

A method for processing elements included in a non-volatile memory of a memory system includes obtaining erase counts associated with a plurality of erased elements.例文帳に追加

メモリシステムの不揮発性メモリに含まれる要素を処理する方法が、複数の消去要素に関連付けられた消去カウントを得ることを含む。 - 特許庁

To secure a stabilized operation level without requiring specific verification (Verify) time in a memory using elements having hysteresis (Hysteresis) characteristics as the information storage elements of memory for a nonvolatile memory.例文帳に追加

非揮発性メモリ装置に関し、ヒステリシス（Hysteresis）特性を有する素子をメモリの情報格納素子として用いるメモリにおいて、別途の検証（Verify）時間を費やさず、安定した動作レベルを確保する。 - 特許庁

To provide a novel method of manufacturing an oxide ferroelectric elements for constituting a nonvolatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリを構成する強誘電体素子の新規な作製方法を提供する。 - 特許庁