majority carrierとは 意味・読み方・使い方

The majority carrier capturing region and the minority carrier capturing region are formed of the same diffusion layer as that in the source or drain region of the MOS transistor formed in the high power supply voltage circuit section.例文帳に追加

また、多数キャリア捕獲領域および少数キャリア捕獲領域は、高電源電圧回路部に形成されたＭＯＳ型トランジスタのソースあるいはドレイン領域と同一の拡散層にて形成した。 - 特許庁

To provide a memory cell structure, where depletion of majority carrier controlled by the field effect of an embedded strap region that controls access to a trench cell capacitor is used.例文帳に追加

トレンチ・セル・キャパシタへのアクセスを制御する埋込みストラップ領域の電界効果制御される多数キャリア空乏化を用いるメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

Majority carrier layers are induced adjacent to the insulator in the doped region of the collector, by applying a bias voltage to the back surface electrode.例文帳に追加

多数キャリア蓄積層が、背面電極にバイアス電圧を印加することによって、コレクタのドープした領域中で絶縁体に隣接して誘起される。 - 特許庁

The methods include forming both minority carrier and majority carrier power devices that can support greater than 10 kV blocking voltages, using drift layers having thicknesses greater than about 100 μm.例文帳に追加

本方法は、約１００μｍより厚い厚みを有するドリフト層を使用して１０ｋＶを超えるブロッキング電圧をサポートすることができる少数キャリアパワーデバイスと多数キャリアパワーデバイスの両方を形成することを含んでいる。 - 特許庁

The photonic mixer includes: a couple of injecting contact regions 3, 4 for injecting the majority carrier-current into the semiconductor substrate; and detector regions 7, 8 for collecting the photocurrent.例文帳に追加

多数キャリア電流を半導体基板に注入するための注入接触領域３，４と、光電流を集めるための検出部領域７，８との対を備える。 - 特許庁

In one embodiment, the majority carrier in the second semiconductor is electrons, and the second-impurity atoms lower the Fermi level of the second semiconductor which has the first-impurity atoms.例文帳に追加

一例として、当該第２半導体の多数キャリアは電子であり、第２不純物原子は、第１不純物原子を有する第２半導体のフェルミ準位を下降させる。 - 特許庁

A Schottky barrier diode constituting a majority carrier device is connected in parallel with a PN junction capable of being forward-biased so that a minority carrier may not be generated by the PN junction forward-biased, and thereby suppressing the parasitic effect.例文帳に追加

順方向バイアスされる可能性のあるＰＮ接合に並列に多数キャリアデバイスであるショットキーバリアダイオードを接続することで、ＰＮ接合が順バイアスされ少数キャリアが発生しないようにし、寄生効果を抑制する。 - 特許庁

To obtain an evaluating method for obtaining an optimum condition by obtaining the distributions and the variations of the minority carrier lifetime, the majority carrier concentration and the thickness of a base layer between wafers and in the wafer of a InGaP/GaAs bipolar transistor HBT, and to obtain a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓのバイポーラトランジスタＨＢＴにおいてベース層の少数キャリヤ寿命、多数キャリヤ濃度、厚みのウエハ−間、ウエハ−内の分布、ばらつきを求めて最適条件を求める評価方法、製造方法を求めること。 - 特許庁