magnetic momentsとは 意味・読み方・使い方

A method for switching magnetic moments in an MRAM memory cell includes providing a magnetic field in a direction forming a blunt angle with a direction of a bias magnetic field.例文帳に追加

ＭＲＡＭメモリセルの磁気モーメントを切換える方法は、バイアス磁界の方向と鈍角を形成する方向に磁界を提供するステップを含んでいる。 - 特許庁

Directions of magnetic moments of the lower and the upper side magnetic layers are antiparallel to each other in the residual magnetization state where applied external magnetization is zero.例文帳に追加

下側及び上側磁性層の磁気モーメントは、印加される外部磁界がゼロである残留磁化状態で反平行の向きとなっている。 - 特許庁

Moreover, by deploying eight magnetoelectric conversion element centering on the magnetic flux generation source, six-shaft detection is possible of forces and moments.例文帳に追加

さらに、磁束発生源を中心として８つの磁電変換素子を配置することにより、力、モーメントを６軸検出できる。 - 特許庁

To provide a magnetic force sensor performing six-shaft detection of forces and moments, by enhancing sensitivity, inhibiting impact on exterior exerted from a magnetic flux generating source, and structuralizing to improve reliability against noises.例文帳に追加

感度を高め、磁束発生源が外部へ与える影響を抑制し、ノイズに対しての信頼性を向上できる構造にした、力、モーメントを６軸検出する磁気式力センサを提供する。 - 特許庁

Adverse effects of hysteresis, disadvantageous for stabilizing bias points for magnetic moments 11, 22, 23 of free layers, are reduced, by biasing the sensor lengthwise and producing a breadthwise compensating magnetic anisotropy through the use of stress of an insulating layer 45 and magnetostriction of magnetic layers (free layers and pinned layers).例文帳に追加

フリー層の磁気モーメント１１，２２，３３のためのバイアス点を安定させる上で不都合となるヒステリシスの悪影響は、縦方向に沿ってセンサにバイアスをかけると共に、絶縁層４５の応力と磁性層（フリー層およびピンド層）の磁歪とを利用して横方向の補償磁気異方性を作り出すことにより、低減される。 - 特許庁

This control method comprises controlling the formation process or form of an aggregated or dispersed state of particles A1, A2, B1 and /or B2 on the basis of interaction of magnetic attraction and repulsion, among magnetic moments induced within plural paramagnetic and/or diamagnetic bodies respectively when these bodies are placed in a strong magnetic field.例文帳に追加

粒子の制御方法において、複数の常磁性物体ないし反磁性物体を強磁場中に入れたときに、個々の物体内部に誘起された磁気モーメント間の磁気的な引力及び斥力相互作用に基づいて、粒子Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２の凝集及び分散状態の形成過程あるいは形状を制御する。 - 特許庁

A method for reading in an MRAM device includes partially switching magnetic moments in a reference memory cell to generate a reference current; measuring a read current through a memory cell to be read; and comparing the read current with the reference current.例文帳に追加

ＭＲＡＭ装置の読取方法は、基準電流を発生するために基準メモリセルの磁気モーメントを部分的に切換え、読取られるメモリセルを通る読取電流を測定し、読取った電流を基準電流と比較するステップを含んでいる。 - 特許庁