lattice dislocationとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate having low-density dislocation on which a lattice-relaxed SiGe layer of a high Ge composition is formed.例文帳に追加

転位密度の低い、かつ格子緩和した高Ｇｅ組成のＳｉＧｅ層が形成された半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate which forms a strain-relaxed SiGe layer having been lattice-relaxed or partially lattice-relaxed and thus makes dislocation defect small, and to provide the semiconductor substrate.例文帳に追加

格子緩和又は一部格子緩和した歪緩和ＳｉＧｅ層の形成を可能にし、これによって転位欠陥を少なくするようにした半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。 - 特許庁

Thereby dislocation generated based on a lattice constant difference or thermal expansion coefficient difference can be prevented and thus the superior quality of inexpensive compound semiconductor substrate can be obtained.例文帳に追加

よって、格子定数差や熱膨張率差に基づいて発生する転位を防ぎ、良質で安価な化合物半導体基板を作ることができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor thin film crystal having a low dislocation density in an epitaxial growth on a substrate having largely different lattice constant.例文帳に追加

格子定数の大きく異なる基板上へのエピタキシャル成長において、低転位密度の半導体薄膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To restrain a threading dislocation density from occurring in a growth layer even in a case in which a board and the growth layer are different from each other in characteristics (lattice constant, thermal expansion coefficient) or a case in which a board such as a sapphire board intrinsically high in dislocation density must be used.例文帳に追加

基板と成長層との特性（格子定数、熱膨張係数）が異なるケースやサファイア基板のように転位密度が元々高い基板を使用しなければならないケースであっても、成長層での貫通転位密度の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has no distortion or defect such as lattice mismatch or crystal dislocation when crystal growth is made on a substrate, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

基板上に結晶を成長させる際、格子不整合や結晶の転位などの歪みや欠陥がない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a heterostructure by a compound semiconductor crystal of a lattice constant closer to that of InP on a GaAs substrate while suppressing the generation of dislocation at a minimum level.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上にＩｎＰの格子定数に近い化合物半導体結晶によるヘテロ構造を転位の発生を最小限に抑えて形成できるようにすること。 - 特許庁

The GaN layer 15 is grown to overlie an InGaN/ZnO compound substrate having the InGaN layer 14 which is grown while lattice matching with the ZnO single crystal substrate 11 having a small dislocation density, thereby the threading dislocation of the GaN layer 15 is reduced sharply.例文帳に追加

転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。 - 特許庁