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lattice diffusionとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 格子拡散
「lattice diffusion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 25件
A light diffusion part 19 is arranged between the light source part 13 and the first optical lattice 25.例文帳に追加
光源部13と第1光学格子25との間に光拡散部19が配置されている。 - 特許庁
The a-axis lattice constant is substantially constant over the film thickness direction, whereas the c-axis lattice constant takes the maximum value in the diffusion preventing layer 23.例文帳に追加
a軸格子定数は膜厚方向にわたりほぼ一定となるのに対し、c軸格子定数は拡散防止層23で極大値をとる。 - 特許庁
To apply the lattice Boltzmann method conventionally used for only use to analyze an isotropic diffusion phenomenon even to an anisotropic diffusion phenomenon.例文帳に追加
従来等方的な拡散現象を解析する用途のみに用いていた格子ボルツマン法を、非等方的な拡散現象に対しても適用できるようにする。 - 特許庁
In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded.例文帳に追加
AlGaInP系材料においてはAl組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。 - 特許庁
Parallel light L2 from the light source part 13 is diffused by the light diffusion part 19, and enters the first optical lattice 25.例文帳に追加
光源部13からの平行光L2は光拡散部19で拡散されて、第1光学格子25に入射する。 - 特許庁
In a semiconductor device where contact with the source diffusion layer and the drain diffusion layer of a transistor is made by a polysilicon contact plug, a film for preventing diffusion of inter-lattice silicon or cavity is formed between the source diffusion layer or the drain diffusion layer and the polysilicon contact plug.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、トランジスタのソース拡散層及び又はドレイン拡散層へのコンタクトが多結晶シリコンのコンタクトプラグである半導体装置において、前記ソース拡散層及び又はドレイン拡散層と多結晶シリコンのコンタクトプラグの間に格子間シリコンまたは空孔の拡散を防止する拡散防止膜を形成した。 - 特許庁
Diffusion of dopant from the current diffusion layer 16 side into an active layer 14 can be prevented by inserting a diffusion stop layer 17 of multilayer structure having a high Al composition and different lattice constants between adjacent layers, between the active layer 14 and the p-type current diffusion layer 16.例文帳に追加
Al組成が大きく、かつ隣接する層間の格子定数が異なる多層構造の拡散ストップ層17を活性層14とp型電流拡散層16との間に挿入すれば電流拡散層16側から活性層14内へのドーパントの拡散を防止することができる。 - 特許庁
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「lattice diffusion」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 25件
The N+ channel stop layer 6 is so provided in lattice shape between adjoining P+ diffusion layers 4 and 5 as to separate them.例文帳に追加
N^+チャンネルストップ層6は隣り合うP^+拡散層4,5の間に設けられており、P^+拡散層4,5を分離するように格子形状を呈している。 - 特許庁
Further, layers are just sequentially formed, starting with the lattice strain relaxing layer 12 up to the current diffusion layer 16, on the n-GaP substrate 11 for reduced manufacturing cost.例文帳に追加
また、n‐GaP基板11上に格子歪緩和層12から電流拡散層16までを順次形成するだけであるから製造コストを低減できる。 - 特許庁
As the diffusion reflection layer, a fine pattern 4 in stripe, lattice, or dot which is formed with the aluminum layer 3, for example, may be used.例文帳に追加
拡散反射層としては、例えば、アルミニウム層3により形成されたストライプ状または格子状またはドット状の微細パターン4、8を用いることができる。 - 特許庁
To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same.例文帳に追加
酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。 - 特許庁
A D/A converting circuit has gate lines 8 and diffusion layers 9 which are arranged in a lattice shape and when an arbitrary MOS transistor Q1 arranged at an intersection of a gate line 8 and a diffusion layer 9 turns on, diffusion layers 9 on the right and left sides of the position of the above MOS transistor Q1 conduct through the MOS transistor Q1.例文帳に追加
D/A変換回路は、格子状に配置されるゲート線8と拡散層9を有し、ゲート線8と拡散層9の交差位置に配置された任意のMOSトランジスタQ1がオンすると、その場所の左右にある拡散層9がMOSトランジスタQ1を介して導通する。 - 特許庁
PHASE-CHANGE LAYER WITH DIFFERENT CRYSTALLINE LATTICE STRUCTURE IN ONE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT WITH TITANIUM-DIFFUSION PREVENTING MEANS AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
1層で異なる結晶格子構造を有する相変化層及びその形成方法、並びにTi拡散防止手段を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
A wiring structure is formed, a background (temperature, current density) is solved by a finite element method, and a diffusion analysis is carried out by the use of an electron wind power proportional to a current density and diffusion coefficients (lattice, grain boundary, interface, surface) related to crystal structures, to obtain void density.例文帳に追加
配線の構造を作成し、背景場(温度、電流密度)を有限要素法で解き、電流密度に比例した電子風力と各結晶構造に関わる拡散係数(格子、粒界、界面、表面)を用いて拡散解析を行い、空孔濃度を求める。 - 特許庁
Thus, even if the diffusion coefficient of the impurity is small, the substitution of the impurity to the lattice position at the hole can be carried out sufficiently, so that the activation factor of the impurity can be improved.例文帳に追加
これにより、不純物の拡散係数が小さくても、空孔において不純物の格子位置への置換を充分に行うことができ、不純物の活性化率を向上させることができる。 - 特許庁
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