laser epitaxyとは 意味・読み方・使い方

APPARATUS FOR COMBINATORIAL LASER MOLECULAR BEAM EPITAXY例文帳に追加

コンビナトリアルレーザー分子線エピタキシー装置 - 特許庁

MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH OF SEMICONDUCTOR LASER DIODE例文帳に追加

半導体レーザダイオードのＭＢＥ成長 - 特許庁

The laser diode 1 is manufactured by stacking epitaxy layers on a substrate.例文帳に追加

レーザダイオード１は、基板にエピタクシー層を重ねながら作られる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁

An edge emitting laser with circular beam is disclosed using a low carrier-mobility diluted nitride semiconductor material for an epitaxy light-emitting layer.例文帳に追加

本発明にかかる円形ビームエッジ放射レーザーは、そのエピタキシー発光層が希薄な窒化物を含む低キャリア移動度の半導体材料を使用して形成される。 - 特許庁

The manufacturing device includes: a crystal deposition device 10 for growing crystals by an organic metal vapor deposition or molecular beam epitaxy method on a substrate; and a heating laser irradiation device 20 for irradiating a heating laser beam 21 on a surface of the substrate.例文帳に追加

基板上に有機金属気相成長法又は分子線エピタキシー法により結晶を成長させる結晶成膜装置１０と、基板表面に加熱用レーザ光２１を照射する加熱レーザ照射装置２０とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum well structure having a well layer with high photoluminescence intensity, a semiconductor laser, and a compound semiconductor layer with the high photoluminescence intensity, and to provide a method of controlling a molecular beam epitaxy device using the photoluminescence intensity of the compound semiconductor layer.例文帳に追加

フォトルミネッセンス強度が高い井戸層を有する量子井戸構造、半導体レーザ、フォトルミネッセンス強度が高い化合物半導体層を製造する方法及び化合物半導体層のフォトルミネッセンス強度を用いてＭＢＥ装置の状態を管理する方法を提供する。 - 特許庁