isotropic etchingとは 意味・読み方・使い方

The recessed parts 12 are formed by a plurality of times of isotropic etching.例文帳に追加

凹部１２は、複数回の等方性エッチングによって形成される。 - 特許庁

In the process, the isotropic etching does not attain to the second insulation film 22.例文帳に追加

この際、等方性エッチングは第２絶縁膜２２には及ばない。 - 特許庁

DRY ASHING METHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING例文帳に追加

ＴｉＮ層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁

At this point, the second polysilicon film is subjected to anisotropic etching first and then subjected to isotropic etching.例文帳に追加

ここで、第２ポリシリコン膜のエッチングは異方性および等方性エッチングの順に実施する。 - 特許庁

FLATTENING OF SHALLOW TRENCH ISOLATION BODY USING SELF- ALIGNMENT ISOTROPIC ETCHING例文帳に追加

自己整合等方的エッチングを用いた浅いトレンチ分離体の平坦化 - 特許庁

Besides, isotropic etching can be used for widening the uppermost layer.例文帳に追加

また最上層の幅を広げるために等方エッチングを用いることができる。 - 特許庁

Thereafter, the oxidized film 12 is removed from the silicon substrate 11 and isotropic etching is effected on the trenches 14 and the silicon substrate 11 in an isotropic etching process.例文帳に追加

その後、酸化膜１２をシリコン基板１１から除去し、等方性エッチング工程でトレンチ１４及びシリコン基板１１表面に等方性エッチングを行う。 - 特許庁

In the second etching, etching is carried out under the condition where isotropic etching characteristics are strong, and the etching of the tungsten plug is not carried out so that tungsten residues can be completely removed.例文帳に追加

第２の過エッチングでは等方性エッチング特性が強い条件でエッチングし、タングステンプラグはエッチングされず、タングステン残留物を完全に除去する。 - 特許庁