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intrinsic layerとは 意味・読み方・使い方
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「intrinsic layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 262件
WAFER INCLUDING INTRINSIC SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
真性半導体層を備えたウェーハ - 特許庁
The intermediate layer 4 is also made of intrinsic GaAs.例文帳に追加
この中間層4も真性GaAsからなる。 - 特許庁
The intrinsic base layer 22 is formed on the external base layer 20 and the intrinsic collector region 18a.例文帳に追加
真性ベース層22は、外部ベース層18b上及び真性コレクタ領域18a上に設けられている。 - 特許庁
The base (B) is equipped with an external base layer 20 and an intrinsic base layer 22.例文帳に追加
ベース(B)は、外部ベース層20及び真性ベース層22を有する。 - 特許庁
A spacer layer 4 is an intrinsic InAlAs layer with a thickness of 3 nm.例文帳に追加
スペーサ層4は、厚さが3nmの真性InAlAs層である。 - 特許庁
In addition, an interface layer is provided between the semiconductor layer 13 and an intrinsic layer 14.例文帳に追加
さらに、P型半導体層13と真性層14との間に、界面層を設ける。 - 特許庁
The emitter layer 26 has a larger band gap than the intrinsic base layer 22.例文帳に追加
エミッタ層26のバンドギャップは、真性ベース層22のバンドギャップより大きい。 - 特許庁
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「intrinsic layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 262件
An intrinsic semiconductor layer is formed on the first anode/cathode layer.例文帳に追加
真性半導体層が第1陽極/陰極層上に形成されている。 - 特許庁
A barrier layer 7 is an intrinsic InAlAs layer with a thickness of, for example, 5 nm.例文帳に追加
バリア層7は、例えば厚さが5nmの真性InAlAs層である。 - 特許庁
The emitter (E) is equipped with an emitter layer 26 formed on the intrinsic base layer 22.例文帳に追加
エミッタ(E)は、真性ベース層22上に設けられたエミッタ層26を有する。 - 特許庁
The intrinsic channel layer 23 is provided with a recessed part 25 for embedding a gate means, and a gate diffusion layer 5 is embedded in the intrinsic channel layer 23.例文帳に追加
真性チャネル層23には、ゲート手段埋め込み用の凹部25が設けられ、ゲート拡散層5が真性チャネル層23内に埋め込まれている。 - 特許庁
To provide a method for an intrinsic type microcrystalline silicon layer.例文帳に追加
真性微結晶シリコン層のための方法を提供すること。 - 特許庁
An oxide semiconductor layer which is intrinsic or substantially intrinsic and includes a crystalline region at a surface of the oxide semiconductor layer is used for the transistors.例文帳に追加
真性又は実質的に真性であって、表面に結晶領域を含む酸化物半導体層をトランジスタに用いる。 - 特許庁
Between the N-type impurity layer 30 and the intrinsic base layer 50, an epitaxially grown layer is formed, where the epitaxially grown layer is lower in impurity concentration than the N-type impurity layer 30 and the intrinsic base layer 50.例文帳に追加
N型不純物層30と真性ベース層50との間に、N型不純物層30及び真性ベース層50よりも不純物濃度が低いエピタキシャル成長層が形成されている。 - 特許庁
Then, the layer M intrinsic part 16 is added to the common part 31 in the layer M.例文帳に追加
そして、層Mにおいて共通部31に層M固有部16が付加される。 - 特許庁
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