interface mobilityとは 意味・読み方・使い方

To relieve projecting/recessed parts in the interface of a polycrystalline semiconductor thin film and a gate insulating film, and to improve the mobility of a thin-film transistor.例文帳に追加

多結晶半導体薄膜とゲート絶縁膜との界面における凹凸を緩和して薄膜トランジスタの移動度を改善する。 - 特許庁

According to this method, since the mobility of carriers is improved by the displacements of the Si atoms, an enough mobility of the carriers can be obtained even when the concentration of nitrogen present in the vicinity of the interface between the SiON film 3 and the Si substrate 1 is made high.例文帳に追加

この方法によれば、Ｓｉ原子の変位によりキャリアの移動度が向上するため、ＳｉＯＮ膜３のＳｉ基板１との界面近傍の窒素濃度が高くても、十分なキャリアの移動度が得られる。 - 特許庁

METHOD FOR ENABLING WIRELESS TERMINAL MOBILITY IN LOCAL- AREA NETWORK CONFORMING TO IEEE802.1Q STANDARD, AND RADIO INTERFACE DEVICE FOR IMPLEMENTING THE METHOD例文帳に追加

ＩＥＥＥ８０２．１Ｑ規格に適合するローカルネットワークで無線端末の移動性を可能にする方法、およびこの方法を実施する無線インターフェース装置 - 特許庁

To improve surface stability between an insulating film and semiconductor interface while exhibiting high mobility, and also to obtain high on/off ratio.例文帳に追加

高い移動度を発現させつつ、絶縁膜と半導体界面の表面安定性を向上させることが可能となるとともに、高いオン／オフ比を得る。 - 特許庁

Since this treatment allows the interface state density at the interface between the silicon carbide layer 12 and the gate insulating film to be lowered, the electron mobility in an off-cut direction A is higher than that in a vertical direction to the off-cut direction A.例文帳に追加

これにより、炭化珪素層１２とゲート絶縁膜の界面において界面準位密度が低下するため、オフカット方向Ａに垂直な方向よりもオフカット方向Ａのほうが電子移動度が高くなる。 - 特許庁

In addition, since contact resistances can be reduced in an interface between the source electrode 3 and the organic semiconductor layer 8 and an interface between the drain electrode 4 and the organic semiconductor layer 8, the mobility of electric charges of the thin-film organic transistor 1 is improved.例文帳に追加

さらに、ソース電極３と有機半導体層８との界面と、ドレイン電極４と有機半導体層８との界面とにおけるコンタクト抵抗を低下できるので、薄膜有機トランジスタ１の電荷の移動度を向上できる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device that is low in on-resistance by enhancing the channel mobility of an interface between a silicon carbide region and an oxide film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

炭化珪素領域と酸化膜との界面のチャネル移動度を向上させ、低オン抵抗な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it, wherein the carrier mobility of a semiconductor layer which is the interface characteristics between a semiconductor layer and an insulating layer is prevented from falling.例文帳に追加

半導体層１２と絶縁層６との間の界面特性である半導体層のキャリヤ移動度の低下を防止した半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁