impurity dependenceとは 意味・読み方・使い方

Concentration of impurity metal is measured by previously obtaining the relevant dependence relationship using the result of measurement of concentration of the relevant impurity metal with a chemical method in the calibration stage, and then conducting the correction considering the relevant dependence relationship in the measuring stage.例文帳に追加

較正段階において化学的方法による当該不純物金属の濃度の測定結果を用いて当該依存関係を求めておき、測定段階において当該依存関係を考慮した補正を行うことによって不純物金属の濃度の測定を行う。 - 特許庁

To provide a method for modeling a semiconductor in which impurity pile up on the Si/SiO2 interface can be simulated and electric characteristics dependent on the impurity concentration (e.g. substrate bias dependence) can be analyzed through high speed calculation.例文帳に追加

Ｓｉ／ＳｉＯ_２界面での不純物パイルアップをシミュレーション可能であり，不純物濃度に依存する電気特性（例えば，基板バイアス依存性）を高速計算のもとに解析可能な半導体モデリング方法を提供する。 - 特許庁

ALCHEMI can be used to determine which sites are occupied by substitutional impurity atoms by measuring the dependence on tilt of the characteristic X-ray emission.発音を聞く 例文帳に追加

ALCHEMIは、特性X線放出の傾斜依存性を測定することによって、どのサイトが置換不純物原子によって占有されているかを決定することに使うことができる。 - 科学技術論文動詞集

To provide a method for calculating impurity metal concentration by conducting correction considering relationship of dependence, if it exists, among minority carrier diffusing length to be measured, passage time up to measurement from activation, resistivity and temperature in the measurement of concentration of impurity metal included in a silicon wafer using electromotive force at the surface of light.例文帳に追加

光表面起電力を用いたシリコンウエハに含まれる不純物金属濃度の測定において、測定される少数キャリア拡散長とアクティベーションから測定までの経過時間、抵抗率及び温度との間に依存関係がある場合に、それらを考慮した補正を行うことによって、不純物金属濃度を算出する方法を提供する。 - 特許庁

In addition, if polysilicon is used in the thin film resistors, fluctuation in the resistance values is suppressed and temperature dependence of the resistance value is eliminated by making a film thickness of the polysilicon thin film resistor thin, and making an impurity introduced into the polysilicon thin film resistor p-type.例文帳に追加

および、薄膜抵抗体にポリシリコンを用いる場合、ポリシリコン薄膜抵抗体の膜厚を薄くし、ポリシリコン薄膜抵抗体に導入した不純物をＰ型にしたことにより抵抗値バラツキを抑え、かつ抵抗値の温度依存性をなくしたことを特徴とする。 - 特許庁