impurity controlとは 意味・読み方・使い方

The control electrode layer faces the second impurity region with an insulating film, disposed therebetween.例文帳に追加

制御電極層は第２不純物領域に絶縁膜を介在して対向している。 - 特許庁

An impurity introducing area and an impurity non-introducing area are provided in a channel forming area, when injecting an ion of an impurity into the channel forming area, in order to control a threshold voltage.例文帳に追加

閾値電圧制御のために、チャネル形成領域に不純物のイオン注入をするとき、チャネル形成領域に、不純物導入する領域と不純物導入されない領域を設ける。 - 特許庁

To provide an impurity diffusion method in which an impurity peak concentration is high or a control of a diffusion profile is easy, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an excimer laser system that can control generation of impurity gas with fluorine gas and also control rise of gas temperature.例文帳に追加

フッ素ガスによる不純ガスの発生を抑制し、ガス温度の上昇も抑えることが可能なエキシマレーザ装置を提供する。 - 特許庁

To control a concentration of a donor impurity or an acceptor impurity in a processing object in which a doping is carried out by using an ion doping system, and to reduce a dispersion of the concentration.例文帳に追加

イオンドーピング装置を用いてドーピングをおこなった被処理体中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の濃度を制御し、その濃度のばらつきを小さくする。 - 特許庁

For the control of the threshold of the MOS transistor, phosphorus is used for DDD impurity layer formation, the phosphorus is diffused to a channel region as well at the time of the thermal diffusion of the DDD impurity layer, and the threshold control of the MOS transistor and the DDD impurity layer are both carried out in a single process.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのしきい値制御の為に、ＤＤＤ不純物層形成にリンを用い、ＤＤＤ不純物層の熱拡散時にリンをチャネル領域にも拡散させ、ＭＯＳトランジスタのしきい値制御とＤＤＤ不純物層を一つの工程で兼ねる事が出来るようにする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises first, third and fifth impurity regions of a first conductivity type, second and fourth impurity regions of a second conductivity type, and a control electrode layer.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の第１、第３および第５不純物領域と、第２導電型の第２および第４不純物領域と、制御電極層とを備えている。 - 特許庁

To control external diffusion from a semiconductor layer of impurity implanted and surface oxidation of semiconductor layer, when the impurity implanted to the semiconductor layer is activated.例文帳に追加

半導体層に注入された不純物を活性化する際に、注入された不純物の半導体層からの外方拡散と半導体層の表面酸化とを抑止できるようにする。 - 特許庁