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impurity activationとは 意味・読み方・使い方
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「impurity activation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 75件
ACTIVATION METHOD OF SEMICONDUCTOR IMPURITY例文帳に追加
半導体不純物の活性化方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND IMPURITY INJECTION ACTIVATION PROCESSING DEVICE例文帳に追加
半導体装置の製造方法および不純物注入活性化処理装置 - 特許庁
To improve the activation rate of an impurity layer formed in an Si substrate.例文帳に追加
Si基板に形成される不純物層の活性化率を向上させる。 - 特許庁
To improve an impurity activation rate of a III nitride semiconductor by ion implanting.例文帳に追加
イオン打ち込みによるIII族窒化物半導体の不純物活性化率の向上。 - 特許庁
To enhance activation rate of an impurity implanted into a silicon carbide semiconductor.例文帳に追加
炭化珪素半導体に注入された不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁
To provide an activation method that suppresses impurity diffusion while preventing oxygen from turning to a donor.例文帳に追加
酸素のドナー化を回避しつつ導入不純物を広がりを抑えて活性化する。 - 特許庁
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「impurity activation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 75件
Since the activation of the impurity region is made by the above method, the impurity region can be activated without losing crystallizability.例文帳に追加
不純物領域の活性化を上記の方法で行うことにより結晶性を損なうことなく活性化することができる。 - 特許庁
In this state, impurities including in an impurity area 209 or the like are heated for activation.例文帳に追加
その状態で、不純物領域209等に含まれる不純物の活性化熱処理を行う。 - 特許庁
To improve the activation factor of an impurity implanted into silicon carbide through ion implantation.例文帳に追加
炭化珪素内にイオン注入によって注入された不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁
To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加
不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
Consequently, thermal activation can be utilized in place of high cost laser annealing for impurity implantation and activation in the fabrication process of a polysilicon type thin film transistor.例文帳に追加
従って、ポリシリコン型薄膜トランジスタの製造工程で不純物注入活性化に高コストのレーザーアニーリングの代わりに熱活性化を利用できる。 - 特許庁
The crystallinity or the impurity activation ratio of the regions 12a, 16a may be given gradient.例文帳に追加
また、領域12a、16aの結晶性または不純物活性化率に傾斜を与えることもできる。 - 特許庁
A dopant impurity is added to a semiconductor layer and an activation heat treatment is carried out for 0.1 to 10 seconds.例文帳に追加
半導体層にドーパント不純物を添加し、0.1秒〜10秒の活性化熱処理を行う。 - 特許庁
To suppress surface roughening and abnormal composition ratio of SiC due to heat treatment for impurity activation.例文帳に追加
SiCにおいて、不純物の活性化のための熱処理による表面荒れと組成比異常を抑制する。 - 特許庁
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