hydrogen carbideとは 意味・読み方・使い方

MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE FILM SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT FORMED USING HYDROGEN TREATMENT OF GATE OXIDE FILM例文帳に追加

ゲート酸化膜の水素処理による炭化ケイ素半導体素子を用いた炭化ケイ素半導体の金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタの作製方法 - 特許庁

In the manufacturing method of the silicon carbide smoothed substrate of this invention, a raw material gas (silane) is added during hydrogen etching in smoothing of a silicon carbide substrate.例文帳に追加

本発明の炭化珪素平滑化基板の作製方法は、炭化珪素基板の平滑化における水素エッチング時に原料ガス（シラン）を添加することを特徴とする。 - 特許庁

The silicon carbide is synthesized under specific conditions using hydrogen gas and methyltrichlorosilane gas as reactants.例文帳に追加

炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。 - 特許庁

This parting agent composition contains (a) ring hydrogen carbide base resin, (b) silicone compound and (c) aliphatic base solvent.例文帳に追加

（ａ）環状炭化水素系樹脂、（ｂ）シリコーン化合物、及び（ｃ）脂肪族系溶剤を含有する離型剤組成物。 - 特許庁

In a hydrogen-generating reactor 10, iron carbide 18 is brought into contact with steam or a steam-containing gas (reactant gas) to oxidize and/or hydroxylate the iron carbide and reduce the steam to generate a hydrogen gas, and the hydrogen gas is taken out of an exhaust-gas outlet conduit 22.例文帳に追加

水素発生反応器１０内で、アイアンカーバイド１８に水蒸気又は水蒸気を含むガス（反応ガス）を接触させて、アイアンカーバイドを酸化又は／及び水酸化するとともに水蒸気を還元し、水素ガスを発生させ、この水素ガスを排ガス出口導管２２から取り出す。 - 特許庁

The surface of a metal member is brought into contact with a hydrogen peroxide solution containing metal and/or metal carbide selected from the group consisting of tungsten, tungsten carbide, silicon carbide and titanium carbide, the surface of the metal member is converted into corresponding metal oxide, so as to form an oxide film 33.例文帳に追加

金属部材の表面に、タングステン、タングステンカーバイド、シリコンカーバイド及びチタンカーバイドから成る群から選択される金属及び／又は金属カーバイドを含む過酸化水素溶液を接触させ、前記金属部材表面を対応する金属酸化物に変換し酸化膜３３を形成する。 - 特許庁

Combustible substances such as yellow phosphorus, carbide, metal sodium, and explosive substances such as magnesium powder, hydrogen peroxide, soda peroxide発音を聞く 例文帳に追加

黄燐、カーバイト、金属ナトリウムその他の発火性物質及びマグネシウム粉、過酸化水素、過酸化ソーダその他の爆発性物質 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a method for forming a transparent gas barrier layer by means of a sputtering method, a target including at least one carbide selected from a metal carbide and a metalloid carbide is used, and hydrogen-containing gas is used as reaction gas.例文帳に追加

スパッタリング法により透明ガスバリア層を形成する透明ガスバリア層の製造方法であって、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも１種の炭化物を含むターゲットを用い、反応ガスとして水素含有ガスを用いる。 - 特許庁