hot carrier injectionとは 意味・読み方・使い方

An LDD region 207, formed in an n-channel TFT 302 working as a drive circuit improves resistance with respect hot carrier injection.例文帳に追加

駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２に設けられたＬＤＤ領域２０７はホットキャリア注入に対する耐性を高める。 - 特許庁

To provide a fine and highly reliable semiconductor device which can suppress the injection of a hot carrier into a side wall, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

サイドウォール中へのホットキャリアの注入を抑制することができる微細で信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To attain a high injection efficiency at a low voltage, related to a non-volatile semiconductor storage device where a hot carrier is injected into a floating gate electrode.例文帳に追加

ホットキャリアを浮遊ゲート電極に注入する不揮発性半導体記憶装置において、低電圧で高い注入効率を達成できるようにする。 - 特許庁

In an n-channel TFT 302, forming a drive circuit of a TFT structure which is resistant to hot carrier injection, is realized by arranging an Lov region 207 in the TFT 302.例文帳に追加

駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２にはＬov領域２０７が配置され、ホットキャリア注入に強いＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

In addition, a dangling bond of a gate oxide film 3 can be made to bond with the hydrogen atom, and thereby capture of hot carriers through the hot carrier injection can be prevented and initial characteristics of the transistor can be stabilized.例文帳に追加

又、ゲート酸化膜３のダングリングボンドを水素原子と結合させることができるので、ホットキャリア注入によるキャリアの捕獲を防止し、トランジスタの初期特性を安定化させることができる。 - 特許庁

To increase the injection efficiency of a hot carrier to a gate insulation film, increase the information-writing speed of a non-volatile memory, and at the same time improve the reliability of the gate insulation film.例文帳に追加

ホットキャリアのゲート絶縁膜３への注入効率を高め、不揮発性メモリの情報書込み速度を高速化するとともに、ゲート絶縁膜の信頼性を高める。 - 特許庁

A TFT structure, that is durable against degradation due to hot carrier injection, is realized by arranging an Lov region 207 in an n-channel TFT 302 which constitutes a drive circuit part.例文帳に追加

駆動回路部を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２にはＬov領域２０７が配置され、ホットキャリア注入による劣化に強いＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

Therefore, a hot carrier injection phenomenon can be prevented from occurring around the memory cell to be read so that threshold voltages of the surrounding memory cells is changed and read disturbance is prevented.例文帳に追加

それにより、読み出そうとするメモリセルの周辺で発生する熱い電子の散乱放出現象を防止でき、周辺メモリセルのしきい値電圧が変化し、読み出し妨害を有効に防止する。 - 特許庁