high k oxideとは 意味・読み方・使い方

Furthermore, the capture metal layer reduces a thickness of a silicon oxide interface layer under the high-k gate dielectric remotely.例文帳に追加

さらに、該捕捉金属層は、高ｋゲート誘電体の下の酸化ケイ素界面層の厚さを遠隔から低減する。 - 特許庁

To provide a method of selective deposition of a C-axial PGO thin film on a High-k gate oxide.例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋゲート酸化物上にＣ軸ＰＧＯ薄膜を選択的に堆積する方法を提供すること。 - 特許庁

MOCVD SELECTIVE DEPOSITION OF C-AXIAL PB5GE3O11 THIN FILM ON HIGH-K GATE OXIDE例文帳に追加

Ｈｉｇｈ−ｋゲート酸化物上のＣ軸方向Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１薄膜のＭＯＣＶＤ選択的堆積 - 特許庁

The capture metal layer satisfying these standards captures oxide atoms when the oxide atoms pass through a gate electrode, to be diffused toward the high-k gate dielectric.例文帳に追加

これらの基準を満たす捕捉金属層は、酸素原子がゲート電極を通って高ｋゲート誘電体に向け拡散するときに該酸素原子を捕捉する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a step (oxide film formation step) of forming a silicon oxide film on a silicon substrate surface, a step (etching step) of etching the silicon oxide film to a desired film thickness, and a step (high-k film formation step) of forming the high-k film on the silicon oxide film having been etched.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスの製造方法は、シリコン基板表面にシリコン酸化膜を形成する工程（酸化膜形成ステップ）と、シリコン酸化膜を所望膜厚だけ残してエッチングする工程（エッチングステップ）と、エッチング後のシリコン酸化膜上に高誘電体膜を形成する工程（高誘電体膜形成ステップ）とを有する。 - 特許庁

A multilayer dielectric structure of a semiconductor device of the present invention has a silicate interface film and a high-k dielectric film formed on the silicate interface film, wherein the high-k dielectric film contains a metal alloy oxide.例文帳に追加

本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。 - 特許庁

The transfer of K from the catalyst layers 6, 7 to the carrier 9 is prevented even in heating to a high temperature by supporting K on the carrier 9 in the form of the multiple oxide of K and Zr, Ce or La.例文帳に追加

ＫをＺｒ、Ｃｅ又はＬａとの複合酸化物の形にして上記担体９に担持させることにより、高温に加熱されても、Ｋが触媒層６，７から離れて担体９へ移動することを防止する。 - 特許庁

The multilayer boron nitride nanotube having the orientation property is produced by reacting boron oxide, copper oxide, molybdenum oxide (4) and nitrogen (5) with a multilayer carbon nanotube (2) at a high temperature of 1,500-2,500°K.例文帳に追加

１５００Ｋ〜２５００Ｋの高温下において、酸化ホウ素、酸化銅、酸化モリブデン（４）、および、窒素（５）を、多層カーボンナノチューブ（２）に反応させ、配向性を有する多層窒化ホウ素ナノチューブを生成する。 - 特許庁