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growth faceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 成長面
「growth face」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 200件
ADJUSTING METHOD OF GROWTH BASE MATERIAL AND SLOPE FACE SEEDING AND PLANTING CONSTRUCTION METHOD例文帳に追加
生育基盤材の調整方法並びに法面緑化工法 - 特許庁
This sapphire substrate is used for subjecting the semiconductor to epitaxial growth and a face for carrying out epitaxial growth is used as q face 2.例文帳に追加
サファイヤ基板1は、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる面をq面2とする。 - 特許庁
Then, a second growth layer 22 is grown so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is ≤10 μm/h.例文帳に追加
次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。 - 特許庁
Because the growth face 24a of the intermediate layer 24 is flat, a growth face 26a of the upper layer 26 formed on the intermediate layer 24 by epitaxial growth is flat.例文帳に追加
このように中間層24の成長面24aが平坦であるため、中間層24上にエピタキシャル成長される上層26の成長面26aも平坦となっている。 - 特許庁
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「growth face」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 200件
GROWTH METHOD FOR ARBOREOUS PLANT USING SPECIAL MULCHING IN FACE OF SLOPE GREENING AND FACE OF SLOPE WITH GROWN ARBOREOUS PLANT例文帳に追加
法面緑化における特殊マルチを用いた木本類育成工法及びその木本類育成法面 - 特許庁
A (100) growth face of the MgO layer is formed on a (100) face of the Si monocrystalline substrate.例文帳に追加
Si単結晶基板の(100)面上に形成されたMgO層の成長面は(100)面である。 - 特許庁
It was found that Mg doping inverts growth of GaN on Ga-face to N-face in some situations.発音を聞く 例文帳に追加
Mgの注入が、いくつかの状況でGa面のGaNの成長をN面の成長に転化させることがわかった。 - 科学技術論文動詞集
If we do have longevity, then we'll have to face the population growth例文帳に追加
人の寿命が延びれば 人口増加の問題に直面することになります - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
A first growth layer 21 is grown on a base 10 for growing so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is >10 μm/h.例文帳に追加
成長用基体10上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hより大きくなるように第1の成長層21を成長させる。 - 特許庁
The substrate is a substrate for epitaxial growth 1 in which a chamfering part 3 is partially on the rear face 1b side opposite to a front face 1a of the substrate 1 which is subjected to epitaxial growth.例文帳に追加
エピタキシャル成長用の基板1であって、エピタキシャル成長を行う基板1の表面1aとは反対の裏面1b側に、部分的に面取り部3がある。 - 特許庁
Then, a single crystal having the preferential face as a growth face is prepared and used as a second seed crystal for crystal growth to obtain the bulk single crystal.例文帳に追加
次いで、前記優先面を成長面に有する単結晶を準備し、前記単結晶を第2の種結晶として結晶成長を行い、バルク単結晶を得る。 - 特許庁
A sapphire substrate 11 having C face as a main face is introduced into a metal organic vapor phase epitaxial growth(MOVPE) furnace in the process shown in Fig. 1 (a).例文帳に追加
図1(a)に示す工程で、C面を主面とするサファイア基板11をMOVPE炉内に導入する。 - 特許庁
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