group VIとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING GROUP IV-VI FERROMAGNETIC SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＶ−ＶＩ族強磁性半導体の製造方法 - 特許庁

The sources of group II and group VI are operated to expose the III-V buffer layer to group II element flux before exposing to group VI element flux.例文帳に追加

ＩＩ族及びＶＩ族ソースを操作して、ＩＩＩ−Ｖバッファ層をＶＩ族元素フラックスに暴露する前にＩＩ族元素フラックスに暴露させる。 - 特許庁

PROCESS FOR GROWING GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の育成方法 - 特許庁

METHOD OF GROWING GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体結晶の成長方法 - 特許庁

The gas source of plasma is provided with gas including a VI group element.例文帳に追加

該プラズマの気体源はＶＩ族元素を含む気体を具えている。 - 特許庁

GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体素子およびその製造方法 - 特許庁

The material is composed of a group II-VI compound doped with a dopant, which is selected from the group of alkaline earth metals, group III A elements, group IV A elements, group V A elements, group VI A elements, and transition metals, and the mol percentage occupied by the dopant in the material is made from 0.1% to 30%.例文帳に追加

ドーパントをドープしたII−VI族化合物で組成され、該ドーパントはアルカリ土金属、III Ａ族元素、IV A族元素、ＶＡ族元素、VIＡ族元素、遷移金属（Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎａｌ Ｍｅｔａｌ）からなる群より選択され、該ドーパントが該材料中で占めるモルパーセントは０．１％から３０％とされる。 - 特許庁

N-TYPE GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｎ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体膜及びその製造方法 - 特許庁