grazing incidenceとは 意味・読み方・使い方

To disclose a method of using a stress-decoupling device, in a stress-decoupling device for EUV lithography and a cooled grazing-incidence collector (GIC) mirror system.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用ストレス分断装置、および、冷却斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーステムにおいてストレス分断装置を使用する方法が開示される。 - 特許庁

Grazing incidence collectors (GIC) mirrors M1, M2 are used in a source collector module for generating laser generating plasma (LPP) that emits EUV radiation.例文帳に追加

ＥＵＶを放射するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成するための光源集光モジュールには斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーＭ１，Ｍ２を用いる。 - 特許庁

A cooled spider 10 for grazing-incidence collectors includes an outer ring 20, an inner ring 50, and a plurality of spokes 80 that mechanically and fluidly connect the inner and outer rings 20, 50.例文帳に追加

斜入射集光器用冷却スパイダ１０は、外側リング２０と、内側リング５０と、両者を機械接続及び流体接続する複数のスポーク８０とを備える。 - 特許庁

To solve such a problem that a GIC (Grazing-Incidence Collector) shell spider receives prolonged exposure to EUV radiation and other radiation by-products that heat the spider and potentially induce deformation to mirrors supported thereby and cause performance problems.例文帳に追加

ＧＩＣ（斜入射集光器）シェルスパイダが、長期的にＥＵＶや他の放射副産物に曝されると、加熱され潜在的にミラーが変形し、性能上の問題を引き起こす。 - 特許庁

The present invention relates to the SOCOMO for generating a laser-produced plasma (LPP) that emits EUV, and a grazing-incidence collector (GIC) mirror having an input end and an output end and arranged relative to the LPP.例文帳に追加

ＥＵＶを放射するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成するためのＳＯＣＯＭＯと、入射端および出射端を有し、ＬＰＰに相対配置される斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーとに関する。 - 特許庁

A pulse laser having a femtosecond pulse and energy sufficient to remove asperities from the surface of a workpiece is directed at grazing incidence to the surface, so that it removes the asperities from the surface.例文帳に追加

フェムト秒パルスを有し、かつ被加工物表面の突起を除去するのに十分なエネルギーとを有するパルスレーザを、被加工物表面をかすめるように入射することで加工物表面に存在する微小突起を除去する。 - 特許庁

A source-collector module (SOCOMO) 100 for generating laser-produced plasma (LPP) radiating EUV includes a grazing-incidence collector (GIC) mirror MG having an incident end 3 and an emission end 5 and disposed in relation to an LPP 24.例文帳に追加

ＥＵＶを放射するレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成するための光源集光モジュール（ＳＯＣＯＭＯ）１００と、入射端３および出射端５を有し、ＬＰＰ２４に相対配置される斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーＭＧとに関する。 - 特許庁

The semiconductor layer growth substrate is one in which the principal surface for the growth of a GaN semiconductor layer thereon gives an X-ray reflectivity curve with a half-width not longer than 100 sec as measured by a grazing incidence X-ray reflectivity technique, and the principal surface has an atomically stepped structure.例文帳に追加

半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。 - 特許庁